存儲周期（memory cycle time）：連續啟動兩次讀或寫操作所需間隔的最小時間
體現主存的速度 （納秒ns）
存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲暫存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。記憶體的存取周期一般為60ns-120ns。單位以納秒（ns）度量，換算關係1ns=10-6ms=10-9s，常見的有60ns、70ns、80ns、120ns等幾種，相應在記憶體條上標為-6、-7、-8、-120等字樣。這個數值越小，存取速度越快，但價格也便隨之上升。在選配記憶體時，應儘量挑選與CPU系統匯流排時鐘周期相匹配的記憶體條
存儲周期 ，通常用訪問周期T（又稱存取周期等）表示,該概念與存取時間是不同的。
存儲系統的存儲周期與命中率H的關係非常大。
命中率：可以簡單地定義為在M1存儲器中訪問到的機率，它一般用模擬實驗的方法得到。選擇一組有代表性的程式，在程式執行過程中分別統計對M1存儲器的訪問次數N1和對M2存儲器的訪問次數N2，然後代入下面的（3－1）關係式計算。
·······（3－1）
整個存儲系統的訪問周期可以用M1和M2兩個存儲器的訪問周期T1，T2和命中率H來表示：
T=H·T1+(1－H)·T2 （3－2）
