套用於納米器件的微區定域Si量子點製備和光電特性研究

套用於納米器件的微區定域Si量子點製備和光電特性研究

《套用於納米器件的微區定域Si量子點製備和光電特性研究》是依託南京大學,由黃信凡擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:套用於納米器件的微區定域Si量子點製備和光電特性研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:黃信凡
  • 依託單位:南京大學
  • 批准號:69876019
  • 申請代碼:F0401
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:1999-01-01 至 2001-12-31
  • 支持經費:12(萬元)
項目摘要
製備半導體量子線,量子點結構是納米器件和納米電子學研究的基礎。本項目利用準分子超短脈衝(30ns)干涉雷射束與超薄非晶矽層(20nm)的互作用形成納米尺度一維或二維有序排列矽量子點。探索用特定設計的移相光柵模版定域微區生長矽量子點的新方法及其光電特性和在納米器件中的套用。為矽低維量子器件和矽光電子集成研究提供新途徑。

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