太陽電池光吸收層銅基薄膜的製備技術研究

太陽電池光吸收層銅基薄膜的製備技術研究

《太陽電池光吸收層銅基薄膜的製備技術研究》是2019年4月江蘇大學出版社出版的圖書,作者是王延來。

基本介紹

  • 中文名:太陽電池光吸收層銅基薄膜的製備技術研究
  • 作者:王延來
  • ISBN:9787568411004
  • 頁數:193頁
  • 定價:46元
  • 出版社:江蘇大學出版社
  • 出版時間:2019年4月
  • 裝幀:平裝
  • 開本:32開
內容簡介,作者簡介,

內容簡介

能源危機及環境污染日益嚴重,開發清潔的綠色能源現已成為人類面臨的重大課題。太陽能取之不盡,用之不竭,是可再生的綠色能源之一。太陽能發電是國際公認的具發展潛力的新能源產業,各國都在全力發展太陽能光伏技術,將太陽能光電開發和利用作為一項可持續發展能源的重要戰略。中國太陽能資源很豐富,政府對光伏產業發展高度重視,但太陽能電池仍無法實現大規模的民用,其根本原因是光電轉化效率低和太陽能電池成本過高。
銅基薄膜太陽能電池是以銅基化合物作為光吸收層的薄膜電池,包括CuInSe2、CuInS2、Cu(ln,Ga)Se2、Cu2ZnSnS4及銅基中間帶薄膜電池等,銅基薄膜材料為直接帶隙半導體材料,光吸收係數高達10(5)cm-1,只需要1-2μm厚的薄膜就可以吸收大部分太陽光,適合作為薄膜電池的光吸收層。銅基薄膜電池性能穩定,抗輻射能力強,光電轉化效率可達20%以上。高效率的銅基薄膜電池是採用真空技術製備的,製備成本較高,因此限制了它的廣泛套用,所以研究和開發銅基薄膜的低成本製備技術是亟待解決的重要問題。
《太陽電池光吸收層銅基薄膜的製備技術研究》主要介紹了銅基薄膜的低成本製備技術,包括CuInSe2薄膜的電沉積製備技術,Cu(In,Ga)Se2、CuInS2、Cu2ZnSnS4以及Ti摻雜CuGaS2中間帶薄膜材料的塗覆製備技術,還介紹了CriInS2薄膜的固態源硫化法製備技術。書中包含了國內外學者及著者個人的研究工作,對從事銅基薄膜電池器件研製、生產和使用的專業人員有一定的參考價值。

作者簡介

王延來,2008年畢業於北京科技大學,獲得工學博士學位,2009年至今任職於內蒙古大學物理科學與技術學院,副教授,碩士生導師,主要講授“半導體物理”“半導體器件物理”“材料科學基礎”等本科生課程及“物理電子學”碩士研究生課程。主要從事半導體材料、半導體器件及太陽能電池材料等方面的科學研究工作。近年來主持和參與了國家自然科學基金、省部級基金等項目10餘項,在MATERIALS LETTERS、MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING等國際期刊上發表學術論文20餘篇,獲得國家發明專利2項。

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