1.基本情況
2010年，四川省科技廳批准立項建設太赫茲科學技術四川省重點實驗室。太赫茲科學技術四川省重點實驗室下設3個研究室，分別為太赫茲基礎科學研究室、太赫茲通信及探測技術研究室、太赫茲功能材料研究室。以基礎科學研究室為核心，開展相關的太赫茲科學技術基礎研究，為其他研究室的套用技術研究提供支撐。
2.研究方向
太赫茲科學技術四川省重點實驗室主要從事太赫茲輻射源及相關基礎科學的研究，太赫茲通信及探測技術的研究，太赫茲功能材料的研究。
3.人員構成
太赫茲科學技術四川省重點實驗室現有固定人員57名，其中教授25名，副教授21名，講師11名，中國科學院院士2名，中國工程院院士1名，傑青4人，長江學者3名，博士生導師25名，具有博士學位的中青年教師有50餘名。
4科研情況
（1）在國內首次成功研製了0.22THz、脈衝功率大於2kW的一次諧波和0.42THz、脈衝功率千瓦級二次諧波太赫茲迴旋管原理器件，實現我國大功率太赫茲迴旋器件從無到有的突破。
（2）在太赫茲器件的粒子模擬仿真技術方面，開發了具有自主智慧財產權的適用於帶電粒子和電磁波（包括太赫茲波）互作用的3維電磁粒子模擬軟體CHIPIC。
（3）電子學與光子學相結合新型太赫茲輻射源的研究成果發表在國際物理學權威刊物Physical Rev. Lett上，獲得國際同行的廣泛好評。
（4）在太赫茲高速無線通信系統中，研製了具有全自主智慧財產權的全固態太赫茲關鍵模組，完成了220GHz高速無線通信系統實驗研究，通信速率達到3Gbps，填補了國內空白，達到國際先進水平。基於320GHz載波頻率和自主研發的太赫茲波直接調製技術，傳輸速率達到1Mbps，實現零誤碼率。這是國內首次利用自主研發的空間型太赫茲調製器實現太赫茲無線通信。
（5）太赫茲調製器實現新型電磁陣列結構與AlGaN，GaAs半導體調製摻雜異質結結合形成髙電子遷移率電晶體（HEMT）陣列，通過電壓信號控制實現對自由空間傳播太赫茲波的快速調製，研製出電控調製器晶片，動態調製回響頻率達到10MHz，性能達到國際先進水平。
