《大尺寸CVD金剛石單晶的快速生長及其硼摻雜特性的研究》是依託吉林大學，由李紅東擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：大尺寸CVD金剛石單晶的快速生長及其硼摻雜特性的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李紅東
- 依託單位：吉林大學
- 批准號：50772041
- 申請代碼：E0203
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：32（萬元）
項目摘要
本課題採用微波電漿化學氣相沉積(MW-PCVD)方法，在金剛石單晶籽晶上同質外延快速生長大尺寸金剛石單晶。研究反應室壓強、電漿密度、氣體流量比（氫氣：甲烷：氮氣）、基底溫度等製備參數對金剛石單晶生長速率和品質的影響，探索最佳工藝條件，研究生長規律，以期獲得生長速率大於100μm/h，尺寸為10mm×10mm的高品質金剛石單晶。通過分析氮在單晶內的分布，探討摻氮對提高生長速率影響的物理機制。在CVD金剛石單晶研究基礎上，通過有效的硼摻雜，獲得p-型金剛石半導體單晶。深入研究CVD金剛石單晶的結構及缺陷和雜質性質，以及相應的光電等特性。通過本課題的實施，解決CVD方法快速生長大尺寸金剛石單晶及其摻雜等的關鍵技術問題，為新一代以金剛石為基的半導體電子、光電子器件研究奠定基礎。
