《單晶CVD金剛石生長過程中形貌不穩定的控制研究》是依託北京科技大學，由陳廣超擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：單晶CVD金剛石生長過程中形貌不穩定的控制研究
- 依託單位：北京科技大學
- 項目負責人：陳廣超
- 項目類別：面上項目
- 批准號：50872009
- 申請代碼：E0203
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：36（萬元）
項目摘要
單晶CVD金剛石在性能和尺寸上的潛在優勢，使其成為套用於苛刻條件下的電子器件的理想材料，圍繞大尺寸單晶CVD金剛石的製備正成為本領域的研究熱點。本課題提出採用DC Arcjet Plasma CVD技術，利用該技術生長速度快這一對CVD單晶金剛石製備至關重要的特點，開展籽晶運動條件下的無氮摻雜單晶金剛石的高速製備研究，確定籽晶表面微觀幾何狀態、生長應力、生長邊界層中營養激元性狀以及籽晶運動方式對外延單晶形貌的影響作用，探討動籽晶條件下CVD單晶的生長機制，探索單晶在高速生長條件下克服形貌不穩定的動力學途徑。.本研究的特點在於：嘗試克服當前微波電漿增強CVD方法製備單晶金剛石必須摻氮來獲得高生長速度、以及摻氮金剛石不利於套用在電子器件上的局限，並試圖改變在微波電漿增強CVD製備中籽晶固定不動的沉積模式，以期獲得籽晶在法向和側向尺寸的增加。
