《多元CdZnTe電容柵探測器模擬設計及製備工藝研究》是依託上海大學，由桑文斌擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：多元CdZnTe電容柵探測器模擬設計及製備工藝研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：桑文斌
- 依託單位：上海大學
- 批准號：10575069
- 申請代碼：A2804
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：34（萬元）
中文摘要
新一代化合物半導體碲鋅鎘（CdZnTe）核探測器在醫學成像、核廢料監控、機場與港口安全檢測等領域套用前景廣闊，對於我國國防、國民經濟的發展和科技攻關有著重要意義。本項目將研究CdZnTe電容柵探測器模擬設計及製備工藝。採用有限元（FE）和蒙特卡羅(Monte Carlo)方法模擬分析電容柵探測器的幾何結構因素對器件性能的影響，充分了解它們的工作原理，實現對器件結構的最佳化設計；研究解決CdZnTe電容柵器件的製備工藝。在此基礎上，研究將多個單元電容柵器件組合成並行探測器，研究並解決並行探測器的信號讀出系統和器件封裝工藝。評價與比較單元與多元探測器的能譜特性，探究兩者之間的內在聯繫。最終研製成功具有我國自主智慧財產權的2×2 並行電容柵探測器，並將套用於高靈敏度攜帶型核輻射探測儀系統。為我國CdZnTe新型探測儀器的發展打下基礎，並使這一領域的研究能迅速躋身於世界行列。
