《多值電流型CMOS電路研究》是依託浙江大學,由陳偕雄擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:多值電流型CMOS電路研究
- 依託單位:浙江大學
- 項目負責人:陳偕雄
- 項目類別:面上項目
- 批准號:69373005
- 申請代碼:F0201
- 負責人職稱:副教授
- 研究期限:1994-01-01 至 1996-12-31
- 支持經費:5(萬元)
《多值電流型CMOS電路研究》是依託浙江大學,由陳偕雄擔任項目負責人的面上項目。
《多值電流型CMOS電路研究》是依託浙江大學,由陳偕雄擔任項目負責人的面上項目。項目摘要本項目在分析電流型CMOS電路特點的基礎上建立了適用於多值電流型CMOS電路的代數理論和開關級設計理論,並將該理論用於三值、四值、五...
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor(互補金屬氧化物半導體)的縮寫。它是指製造大規模集成電路晶片用的一種技術或用這種技術製造出來的晶片,是電腦主機板上的一塊可讀寫的RAM晶片。因為可讀寫的特性,所以在電腦主機板上用來保存BIOS...
《CMOS數據轉換器關鍵器件匹配性及高層次模型研究》是依託西安電子科技大學,由劉簾曦擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 伴隨集成電路技術和數位訊號處理技術的飛速發展,數據轉換器呈現出高速發展的趨勢,而關鍵器件的匹配性問題已經...
雙極-CMOS積體電路(BiCMOS)由雙極型門電路和互補金屬-氧化物——半導體(CMOS)門電路構成的積體電路。特點是將雙極(Bipolar)工藝和CMOS工藝兼容,在同一晶片上以一定的電路形式將雙極型電路和CMOS電路集成在一起,兼有高密度 、低功耗...
3.1.5MOS管的亞閾值模型 3.2CMOS模擬電路的基本模組 3.2.1MOS開關 3.2.2有源電阻 3.2.3電流阱和電流源 3.2.4鏡像電流源 3.2.5電壓基準和電流基準 3.3CM OS放大器 3.3.1反相放大器 3.3.2共源-共柵放大器 3.3....
基於65nm的CMOS工藝,充分利用器件的亞閾值特性,並結合襯底驅動和準浮柵等技術,開展超低低功耗的基準源電路、運算放大器、比較器等模擬單元電路的設計研究。最後,為了擴大雙模能量獲取系統的套用範圍,本項目還將對基於平均電流模控制的同...
1、功耗低:CMOS積體電路採用場效應管,且都是互補結構,工作時兩個串聯的場效應管總是 處於一個管導通另一個管截止的狀態,電路靜態功耗理論上為零。實際上,由於存在漏電流, CMOS電路尚有微量靜態功耗。單個門電路的功耗典型值僅為...
《納米級超低功耗CMOS集成電路與SoC技術研究》是依託復旦大學,由曾曉洋擔任項目負責人的重點項目。項目摘要 本課題主要針對未來納米工藝條件下微瓦級片上系統晶片的若干關鍵技術瓶頸問題開展研究,致力於提出一套完整的微瓦級SoC設計方法學...
在柔性襯底上製作CMOS器件,並對這些器件進行電學方面的表征,結合製作模擬和表征來提高器件的性能和可靠性。最後運用基於柔性襯底的CMOS器件設計和驗證簡單的電路。結題摘要 在本課題的資助下,申請人成功完成了各項任務:共發表SCI論文26篇...
另外一類鎖相環參考書則選題非常狹窄和專業,比如只講述全數字鎖相環等非常專門的知識,這類參考書通常是由某博士論文直接改編或一組專業論文編纂而來的,很難針對廣大的集成電路設計人員和院校中的研究人員。CMOS集成鎖相環電路設計前言[...