基質輔助脈衝雷射氣相沉積系統

基質輔助脈衝雷射氣相沉積系統是一種用於化學工程領域的科學儀器，於2017年6月16日啟用。

基本介紹

• 中文名：基質輔助脈衝雷射氣相沉積系統
• 產地：中國
• 學科領域：化學工程
• 啟用日期：2017年6月16日

技術指標

雷射波長1000nm，脈衝能量30mJ，脈衝長度10-20ns，雷射束投射角45-60度，雷射靶標與基體巨力50-100mm，基體直徑尺寸1.5英寸，靶標材料溫度-150攝氏度。

主要功能

特色：實驗1064nm Nd YAG 雷射對目標物進行升溫氣相沉積，可減少目標物質的分解。附屬檔案：包含雷射器裝配模組，真空模組，標靶和基板模組，拉溫模組。