基於VO2薄膜的人工複合材料的太赫茲動態調製機理研究

基於VO2薄膜的人工複合材料的太赫茲動態調製機理研究

《基於VO2薄膜的人工複合材料的太赫茲動態調製機理研究》是依託四川大學,由黃婉霞擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:基於VO2薄膜的人工複合材料的太赫茲動態調製機理研究 
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:黃婉霞
  • 依託單位:四川大學
  • 批准號:61072036
  • 申請代碼:F0122
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2011-01-01 至 2011-12-31
  • 支持經費:10(萬元)
項目摘要
本項目利用VO2可逆相變過程中光電參數突變數大、相變時間短(ps量級)的特性,以VO2薄膜為核心動態功能材料,建立三層(Si晶體基底、VO2薄膜、金屬Metamaterial結構)電回響諧振(ELC)陣列結構,研製調製效率更高、調製速度更快的Metamaterial太赫茲動態調製器件。系統研究VO2薄膜的取向生長情況、晶粒大小以及摻雜等因素對薄膜的太赫茲波傳輸特性,以及對基於VO2薄膜的Metamaterial太赫茲動態調製器件的調製效率和調製速率的影響,探討其調製機理。其中,通過最佳化基底材料的晶面取向來誘導VO2薄膜的擇優取向生長、建立基於VO2薄膜的三層ELC陣列結構的電磁傳輸模型,以及研究光電激勵VO2薄膜相變過程中陣列結構的等效電磁參數動態變化規律和動態調製規律等工作,可為今後基於VO2薄膜的Metamaterial太赫茲動態調製器件的設計和製備提供理論基礎。

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