《基於SOI的雙極場效應器件光敏特性研究》是依託湖南大學，由曾雲擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：基於SOI的雙極場效應器件光敏特性研究
- 項目類別：專項基金項目
- 項目負責人：曾雲
- 依託單位：湖南大學
- 批准號：61040061
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2011-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：10（萬元）
中文摘要
光敏器件在現代光探測、光通訊、光信息處理和光控制等領域起著關鍵的核心作用。針對現有光敏器件為單獨雙極型器件或單獨場效應型器件的局限，在靈敏度、頻率回響等方面不能滿足高要求的現狀，提出一種基於SOI、綜合雙極型器件和場效應器件優點的新結構、高性能光敏器件，從理論和實驗兩方面進行研究。該器件採用SOI材料和MOS工藝，器件中的光生電子和光生空穴均參與導電，在很小的輸入信號控制下，可得到較大的輸出電流，獲得較高的效率，具有較大的自增益、較高的靈敏度和較低的暗電流；該器件為電壓控制器件，具有很大的輸入阻抗，減少器件間的干擾，增大器件的驅動能力和頻率回響，提高靈敏度；該器件為SOI薄膜器件，無襯底漏電流，寄生電容小，沒有閂鎖效應；並且，該器件結構簡單，易於製造。這種基於SOI的雙極場效應光敏器件的研究，國內、外尚無報導，具有很好的研究意義和套用前景。
