《基於InGaN/GaN多量子阱的場效應發光電晶體》是依託華南師範大學，由郭志友擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於InGaN/GaN多量子阱的場效應發光電晶體
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：郭志友
- 依託單位：華南師範大學
- 批准號：60877069
- 申請代碼：F0501
- 負責人職稱：教授級高級工程師
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：30（萬元）
項目摘要
本項目提出了研製InGaN/GaN發光二極體串接金屬半導體場效應電晶體的新型發光電晶體。包括用於電子發射的n型區，電流控制作用的低濃度n型GaN場效應原理的柵極區，產生空穴的p型區，電子和空穴結合的多量子阱有源區組成。.本項目與傳統發光二極體的區別是增加了電壓控制端，與普通場效應電晶體的不同之處在於具有發光功能。對發光二極體控制實現了由電流改為電壓控制，主要用途是製造LED顯示螢幕、LCD顯示背光、大功率燈具與路燈、半導體照明燈具等時節省了專用控制電路器件，最重要特點是適合在半導體照明無線套用中節省電路控制器件。.本項目的研究內容是利用新型MOCVD系統在藍寶石襯底上生長LED結構的外延片，在高濃度的n型層，利用離子刻蝕台面和槽形結構，低溫二次生長低濃度n型柵區，再利用平面工藝製作相應的具有肖特基接觸的柵極電極、歐姆接觸的源極電極和漏極電極，形成InGaN/GaN材料發光電晶體。
