《基於GaxIn1-xAsySb1-y/GaSb量子阱SESAM鎖模的2 - 2.5 μm波段超快雷射特性研究》是依託山東大學，由楊克建擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於GaxIn1-xAsySb1-y/GaSb量子阱SESAM鎖模的2 - 2.5 μm波段超快雷射特性研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：楊克建
- 依託單位：山東大學
中文摘要,結題摘要,
中文摘要
基於GaSb襯底的III-V族半導體化合物GaxIn1-xAsySb1-y/GaSb量子阱結構SESAM具有亞皮秒超快弛豫時間，而且晶格失配小、光學質量好、參數易於調節，嵌入AlAsSb/GaSb材料作為布拉格反射層可實現幾百nm的高反射頻寬，是2 - 2.5 μm波段超快雷射的理想鎖模元件。本項目以GaxIn1-xAsySb1-y/GaSb量子阱結構SESAM為對象，表征SESAM的光譜特性和非線性參數,研究其2 - 2.5 μm波段的飽和吸收機理及影響因素，揭示其2 - 2.5 μm波段超快雷射鎖模的基本原理和穩定運轉條件，實現2 - 2.5 μm波段寬頻增益介質Tm3+:Lu2O3和Cr2+:ZnSe連續波鎖模和波長可調諧超快雷射運轉，旨在獲得2μm波段W級和2.5 μm波段百mW量級飛秒雷射輸出，為全固態高效率2 - 2.5 μm波段超快雷射的實現提供規律性依據。
結題摘要
2-2.5 μm中紅外人眼安全超快雷射處於典型的大氣透明視窗，為眾所周知的“分子指紋”光譜區域，不僅在環境監測、遠程通信、材料加工、醫學、計量學、軍事等領域具有極其重要的套用，而且是3 ~ 5 μm中紅外和8 ~ 12 μm遠紅外光學參量振盪器的理想泵浦源，特別是近年來又在超連續譜、中紅外光學頻率梳、加速器、超短X射線產生等方面展現出重要的套用前景。基於GaSb襯底的III-V族半導體化合物InGaAsSb/GaSb量子阱結構SESAM具有亞皮秒超快弛豫時間，而且晶格失配小、光學質量好、參數易於調節，嵌入AlAsSb/GaSb材料作為布拉格反射層可實現幾百nm的高反射頻寬，是中紅外波段超快雷射的理想鎖模元件。本項目以GaSb-SESAM為研究對象，表征了SESAM的光譜特性和非線性光學參數，系統研究了其穩定鎖模機理和飽和恢復時間的影響因素，建立了GaSb-SESAM微觀結構生長參數和鎖模超快雷射特性之間的內在聯繫，實現了中紅外超快固體雷射的穩定運轉和大功率輸出，為新型中紅外超快雷射器件的研製提供了重要的技術支撐和理論指導，具有重要的科學意義和套用價值。
