《基於ECR-PLA電漿的原位摻雜機理和套用》是依託復旦大學，由吳嘉達擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於ECR-PLA電漿的原位摻雜機理和套用
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：吳嘉達
- 批准號：10475019
- 申請代碼：A29
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 支持經費：25（萬元）
項目摘要
在研究電子迴旋共振（ECR）微波放電和脈衝雷射燒蝕（PLA）共同作用下引發的ECR-PLA電漿特性及其對材料作用機理的基礎上，探索這類電漿的一種新的套用。通過對活性氣氛中PLA過程和活性源輔助的脈衝雷射沉積機理研究，包括對在連續的ECR電漿環境中瞬態PLA電漿的時空演變，高速飛行的燒蝕產物在ECR電漿中的輸運和與ECR電漿中活性物質的反應，電漿中的氣相膜物質在襯底表面的凝聚、成核、成膜和活性、載能氣相雜質物質對沉積生長中的膜層的摻雜等研究，摸索一種新的、基於ECR-PLA電漿的原位摻雜方法。低溫電漿在材料等領域的套用日益廣泛，ECR-PLA電漿兼具ECR電漿和PLA電漿的特點，在材料的製備和處理套用上有獨到的效果，有望摸索一種能有效控制摻雜濃度和摻雜均勻性的原位摻雜的新方法，而電漿特性和基本過程的研究則是電漿技術套用的基礎。
