基於質子束輻照產生空位缺陷的石墨烯磁性調控研究

基於質子束輻照產生空位缺陷的石墨烯磁性調控研究

《基於質子束輻照產生空位缺陷的石墨烯磁性調控研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由王超擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

  • 中文名:基於質子束輻照產生空位缺陷的石墨烯磁性調控研究
  • 項目類別:青年科學基金項目
  • 項目負責人:王超
  • 依託單位:中國科學院合肥物質科學研究院
項目摘要,結題摘要,

項目摘要

石墨烯基材料由於具有較長的自旋弛豫時間、較大的自旋擴散距離和高度可調的能帶結構,在自旋電子學器件具有巨大的潛在套用價值。理想石墨烯為抗磁性材料,通過結構缺陷引入鐵磁性可以顯著提升石墨烯在自旋注入、自旋流產生等方面的性能。理論研究顯示,石墨烯中空位缺陷可以產生局域磁矩,且當缺陷濃度達到1%量級時,磁矩可在室溫下穩定的鐵磁排布,但是目前尚未在實驗中實現此濃度的缺陷。另外,目前的研究在缺陷磁矩的產生機制、鐵磁耦合機制等方面還存在較大的爭議。本項研究擬採用強流質子束輻照石墨烯產生高濃度空位缺陷,實現對空位缺陷的幾何構型和電子結構的實驗表征,結合磁性測量揭示缺陷磁矩的產生機制,並驗證理論預言的石墨烯空位鐵磁性;同時通過逐步改變缺陷濃度調製石墨烯的能級結構和載流子濃度,根據樣品的磁性變化,結合第一性原理計算研究,為石墨烯空位缺陷鐵磁性起源的爭議(Stoner鐵磁/Heisenberg鐵磁)提供參考。

結題摘要

石墨烯基材料由於具有較長的自旋弛豫時間、較大的自旋擴散距離和高度可調的能帶結構,在自旋電子學器件具有巨大的潛在套用價值。理想石墨烯為抗磁性材料,通過結構缺陷引入鐵磁性可以顯著提升石墨烯在自旋注入、自旋流產生等方面的性能。本項研究採用強流質子束輻照石墨烯產生高濃度空位缺陷,實現對空位缺陷的幾何構型和電子結構的實驗表征,結合磁性測量揭示缺陷磁矩的產生機制;並結合第一性原理計算,對二維材料的室溫鐵磁性起源進行了深入的研究。

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