《基於自蔓延放熱反應的低溫圓片鍵合技術研究》是依託華中科技大學，由陳明祥擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於自蔓延放熱反應的低溫圓片鍵合技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：陳明祥
- 依託單位：華中科技大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50875102
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：E0512
- 支持經費：36（萬元）
中文摘要
隨著半導體技術的發展，封裝集成度不斷提高，迫切需要發展一種低溫圓片鍵合技術，滿足熱膨脹係數差較大的同質或異質材料間的集成需求。本項目借鑑材料製備中自蔓延高溫合成（SHS）技術原理，發展和改造成為用於電子封裝的低溫圓片鍵合技術。通過納米材料組成的反應活性層的放熱反應所產生的局部高溫來加熱和熔化焊料，實現整體上的低溫甚至室溫鍵合。研究自蔓延放熱反應鍵合機理並建立物理模型；最佳化反應活性層結構設計與製備方法；開展圓片級反應鍵合點火方法以及套用技術研究。反應鍵合過程中，除引燃外無需外部能量持續供給，耗能低、設備簡單、適用性廣。由於鍵合片整體溫度較低，不僅有效避免了高溫對溫度敏感電路和微結構的不利影響，而且可滿足熱膨脹係數差較大的異質材料集成需求。本項目的實施對解決矽與非矽基MEMS器件、IC器件、光電器件的混合集成具有重要理論意義和廣闊的商業前景。
