《基於矽技術的太赫茲源晶片級功率合成新方案》是依託浙江大學，由史治國擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：基於矽技術的太赫茲源晶片級功率合成新方案
- 依託單位：浙江大學
- 項目負責人：史治國
- 項目類別：青年科學基金項目
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60801004
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：F0120
- 支持經費：22（萬元）
項目摘要
從積體電路工藝水平和設計水平的發展來看，基於矽技術的小功率太赫茲源的產生正成為太赫茲技術研究的一個發展方向，但這種太赫茲源能否得到套用的一個關鍵在於能否提高輸出功率。本課題提出一種用於基於矽技術的太赫茲源在晶片級進行功率合成的TE011-π模諧振系統，用工作在TE011模的圓柱波導諧振器鎖定數十個甚至上百個λ/4振盪器使他們工作在π模振盪模式，對所有λ/4振盪器進行功率合成。該方案的優勢在於：λ/4諧振器與基片垂直放置，品質因數高，可以提高單管振盪效率；有源電路在基片上均勻分布，有利於系統散熱；無源電路製作在封裝層面上，同矽基片上有源電路分離，提高了矽片利用率；整個系統品質因數由圓柱波導諧振器決定，品質因數高。基於矽技術的小功率太赫茲源的獲得，可以使太赫茲波的產生和實際系統其他功能電路集成到同一晶片成為可能，實現規模生產顯著降低成本，促進太赫茲技術在個人無線通信、小功率雷達等領域的套用。
