《基於熵增的確定性拋光中偽隨機軌跡規劃的新方法》是依託中國人民解放軍國防科技大學，由彭小強擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於熵增的確定性拋光中偽隨機軌跡規劃的新方法
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：彭小強
- 依託單位：中國人民解放軍國防科技大學
- 批准號：50875256
- 申請代碼：E0509
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：33（萬元）
中文摘要
本項目根據現代光學系統(短波光刻系統、高解析度成像系統和高能雷射系統等)對光學零件的製造全頻段納米級面形精度要求，研究確定性研拋加工中產生加工中高頻誤差的重要原因之一：拋光軌跡，系統的從理論上分析它與殘留中高頻誤差因果關係、殘留誤差生成機理和分布規律，並結合圖論理論，將光學零件所要控制的頻率成分和分布規律轉化為圖論參數，進行磁流變加工中偽隨機拋光路徑規劃，引進熵理論，建立拋光路徑等工藝參數的熵評價模型，對生成的拋光路徑對中高頻誤差控制能力進行理論評價，指導工藝參數的選擇。最後結合磁流變拋光加工工藝，運用拋光軌跡模型，期望提出較優的工藝參數和工藝流程，達到對光學零件全頻段納米級面形精度的有效控制，為相關光學系統的研製提供理論和工藝基礎，提高我國現代光學製造技術水平。
