《基於晶圓級MoS2連續薄膜的場效應管集成工藝與性能提升》是依託復旦大學，由包文中擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：基於晶圓級MoS2連續薄膜的場效應管集成工藝與性能提升
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：包文中
- 負責人職稱：研究員
- 申請代碼：F0401
- 研究期限：2019-01-01 至 2019-12-31
- 批准號：61874154
- 支持經費：16（萬元）
項目摘要
近來以MoS2為代表的二維過渡金屬硫族化合物（2D-TMDs）引起了廣泛的關注，這類材料具有優異的穩定性和半導體性能，而且晶圓級MoS2連續薄膜的CVD的可控制備也已經初步實現，從而為未來電子器件提供了新的材料選擇。然而，由於二維材料只有原子級的厚度，而且CVD生長的薄膜缺陷較多，晶疇和晶界的情況也較為複雜，導致傳統矽半導體器件的經驗往往不再適用。所以晶圓級MoS2連續薄膜的器件工藝目前還不是非常完善。本項目以晶圓級MoS2連續薄膜的CVD製備為基礎，探索若干重要的分立器件工藝，諸如源漏接觸、摻雜和柵介質沉積等等，同時研究能帶和散射機制等關鍵物性的調控及其科學問題，為工藝最佳化提供參考和幫助，並最終實現材料製備、器件工藝和集成最佳化的有機結合。目標是實現晶圓範圍的MoS2高性能場效應電晶體陣列，並進一步實現具有功能的簡單電路，推動二維材料在信息器件領域的套用。
