《模擬CMOS積體電路設計》(影印版)模擬積體電路的設計與其說是一門技術，還不如說是一門藝術。它比數字積體電路設計需要更嚴格的分析和更豐富的直覺。嚴謹堅實的理論無疑是嚴格分析能力的基石，而設計者的實踐經驗無疑是誕生豐富直覺的源泉。這也正足初學者對學習模擬積體電路設計感到困惑並難以駕馭的根本原因。
基本介紹
- 書名：國外大學優秀教材微電子類系列•模擬CMOS積體電路設計
- 類型：題庫
- 出版日期：2005年8月1日
- 開本：16開
- 品牌：清華大學出版社
- 作者：羅扎
- 出版社：清華大學出版社
- 頁數：684頁
- ISBN：7302108862, 9787302108863
基本介紹,內容簡介,作者簡介,圖書目錄,序言,
基本介紹
內容簡介
《模擬CMOS積體電路設計》(影印版)自2000午出版以來得到了國內外讀者的好評和青睞，被許多國際知名大學選為教科書。同時，由於原著者在世界知名頂級公司的豐富研究經歷，使《模擬CMOS積體電路設計》(影印版)也非常適合作為CMOS模擬積體電路設計或相關領域的研究人員和工程技術人員的參考書。美國加州大學洛杉機分校(UCLA)Razavi教授憑藉著他在美國多所著名大學執教多年的豐富教學經驗和在世界知名頂級公司(AT&T，Bell Lab，HP)卓著的研究經歷為我們提供了這本優秀的教材。
作者簡介
作者：（美國）羅扎
Behzad Razavi received the B.B.Sc.degree in electrical engineering from Sharif University of Technology in 1985 and the M.Sc. and Ph.D.degrees in electrical engineering from Stanford University in 1998 and 1992,respectively.He was with AT&T Bell Laboratories and subsequently Hewlett-Packard Laboratories until 1996.
Behzad Razavi received the B.B.Sc.degree in electrical engineering from Sharif University of Technology in 1985 and the M.Sc. and Ph.D.degrees in electrical engineering from Stanford University in 1998 and 1992,respectively.He was with AT&T Bell Laboratories and subsequently Hewlett-Packard Laboratories until 1996.
圖書目錄
About the Author
Preface
Acknowledgments
1 Introduction to Analog Design
1.1 Why Analog?
1.2 Why Inegrated?
1.3 Why CMOS?
1.4 Why This Book?
1.5 General Concepts
2 Basic MOS Device Physics
2.1 General Considerations
2.2 MOS I/V Characteristics
2.3 Second-Order Effects
2.4 MOS Device Model
3 Single-Stage Amplifiers
3.1 Basic Concepts
3.2 Common-Source Stage
3.3 Source Follower
3.4 Common-Gate Stage
3.5 Cascode Stage
3.6 Choice of Device Models
4 Differential Amplifiers
……
5 Passive and Active Current Mirrors
6 Frequency Response of Amplifiers
7 Noise
8 Feedback
9 Operational Amplifiers
10 Stability and Frequency Compensation
11 Bandgap References
12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits
13 Nonlinearity and Mismatch
14 Oscillators
15 Phase-Locked Loops
Appendix A Short-Channel Effects and Device Models
Appendix B CMOS Processing Technology
Appendix C Layout and Packaging
Index
Preface
Acknowledgments
1 Introduction to Analog Design
1.1 Why Analog?
1.2 Why Inegrated?
1.3 Why CMOS?
1.4 Why This Book?
1.5 General Concepts
2 Basic MOS Device Physics
2.1 General Considerations
2.2 MOS I/V Characteristics
2.3 Second-Order Effects
2.4 MOS Device Model
3 Single-Stage Amplifiers
3.1 Basic Concepts
3.2 Common-Source Stage
3.3 Source Follower
3.4 Common-Gate Stage
3.5 Cascode Stage
3.6 Choice of Device Models
4 Differential Amplifiers
……
5 Passive and Active Current Mirrors
6 Frequency Response of Amplifiers
7 Noise
8 Feedback
9 Operational Amplifiers
10 Stability and Frequency Compensation
11 Bandgap References
12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits
13 Nonlinearity and Mismatch
14 Oscillators
15 Phase-Locked Loops
Appendix A Short-Channel Effects and Device Models
Appendix B CMOS Processing Technology
Appendix C Layout and Packaging
Index
序言
模擬積體電路設計一直在積體電路的設計中占據著極其重要的位置。由於巨觀信號從本質上來講都是模擬信號，因此從現實世界獲取信號、進行放大和處理並最終返回現實世界實現驅動都離不開模擬積體電路。模擬積體電路不僅在許多領域起著數字電路所不能取代的作用，而且在許多具體實現中還勝過數字電路。近年來，隨著MOS器件尺寸的持續縮小和CMOS積體電路的飛速發展，當代積體電路的設計和生產已經達到了特大規模(ULSI)乃至吉規模(GSI)的水平，片上系統(SoC)不僅成為人們追求的目標，而且正在成為現實。可以毫不誇張地說，沒有CMOS技術的發展就沒有現代數字積體電路的輝煌，同樣可以毫不誇張地說，沒有CMOS模。
