四氧化三鐵/半導體複合結構的電子輸運特性研究

四氧化三鐵/半導體複合結構的電子輸運特性研究

《四氧化三鐵/半導體複合結構的電子輸運特性研究》是依託天津大學,由白海力擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:四氧化三鐵/半導體複合結構的電子輸運特性研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:白海力
  • 依託單位:天津大學
  • 負責人職稱:教授
  • 申請代碼:E0207
  • 研究期限:2007-01-01 至 2009-12-31
  • 批准號:50672064
  • 支持經費:30(萬元)
項目摘要
Fe3O4具有晶體結構簡單,相結構穩定、比金屬材料耐氧化、製備工藝相對簡單、在10 nm以下仍能嚴格保持其化學配比和結構等優點。經過前期研究積累,我們認為Fe3O4薄膜已經具備了在自旋電子學器件上套用的工藝基礎和可能性。本課題擬通過摻雜第三種元素和改善工藝條件的方法,製備出高質量的、電阻率可控的多晶Fe3O4薄膜樣品,研究不同結構調製的Fe3O4薄膜的電阻率及其隨溫度的變化關係。在此基礎之上,製備出Fe3O4/半導體雙層複合結構,研究通過Fe3O4-半導體界面(垂直薄膜平面方向)的電子輸運特性。通過對Fe3O4/半導體這種簡單雙層複合結構的深入了解和認識,可在結構表征(尤其是界面狀態的表征)和輸運特性的研究(尤其是跨越界面的電子輸運)方面積累更多的實驗數據,探索Fe3O4薄膜廣泛套用於自旋電子學器件的可行方案,推動半導體基複合結構的自旋注入問題的基礎研究。

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