《單晶4H碳化矽薄膜的製備及其光學性質研究》是依託中國科學技術大學，由王玉霞擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：單晶4H碳化矽薄膜的製備及其光學性質研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王玉霞
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：59772016
- 申請代碼：E0206
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1998-01-01 至 2000-12-31
- 支持經費：16.5（萬元）
中文摘要
用脈衝雷射澱積方法在Si襯底上製備出了單晶4H和4H-SiC薄膜。研究了不同襯底取向上的SiC薄膜的最佳晶化溫度、多型體之間的轉變及轉變條件的控制。用各種分析方法研究了單晶SiC薄膜的晶體結構、顯微結構、化學組成、化學態、界面層錯缺陷與製備條件的關係。據此最佳化了工藝參數，同時給出了一系列精確的實驗數據。單晶4H-SiC在377nm和560nm產生光發射，單晶6H-SiC實現了477nm的藍光發射。377和477nm發光分別對應於4H和6H-SiC的帶隙躍遷複合發光，560nm為激子躍遷複合發光。用聚苯乙烯溶膠—凝膠熱解法在Si襯底上製備出（0001）定向的6H-SiC薄膜，另外用PS/OCS/Si疊層熱解法製備出無層錯缺陷的單晶6H-SiC薄膜，這一突破性進展對SiC/Si器件集成有重大意義。
