單崇新,男,1977年生,河南長垣人。
中科院“百人計畫”入選者,中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員,博士,博士生導師,II-VI族寬禁帶光電子材料與器件方面學科帶頭人。主要研究方向為ZnO基半導體材料及光電器件,例如半導體光電探測器、發光二極體、雷射器件、太陽能電池等。
到目前為止發表SCI學術論文100餘篇, 其中影響因子大於3.0的論文30餘篇。
基本介紹
- 中文名:單崇新
- 出生日期:1977年
- 性別:男
- 籍貫:河南長垣
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人物經歷
教育經歷
1999年 本科畢業於武漢大學
2004年 博士畢業於中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
工作經歷
2004年3月到2006年1月 香港中文大學 博士後
2006年1月到2008年3月 英國諾丁漢大學 博士後
2008年4月至今 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 中科院“百人計畫”,研究員,博士生導師
研究方向
● ZnO基光電子材料與器件
● 光電探測材料與器件
● 表面電漿在發光器件上的套用
● 原子層沉積設備與材料製備
主要貢獻
項目資助
目前主持中國科學院百人計畫項目1項,國家自然科學基金項目2項,中國科學院裝備研製項目1項;以負責人身份入選吉林省科技創新團隊,參與973項目1項。
2015年11月,入選2016年度河南省“中原學者”。
文章著作
(原文)
1. P. N. Ni, C. X. Shan*, S. P. Wang, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, L. Liu, D. Z. Shen, Enhanced Responsivity of Highly Spectrum-Selective Ultraviolet Photodetectors, J. Phys. Chem. C 116, 1350 (2012).
2. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, K. L. Choy, Low-threshold electrically pumped ultraviolet laser diode, J. Mater. Chem. 21 (9), 2848 - 2851 (2011).
3. F. Sun, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, D. Z. Shen, Z. Y. Zhang, D. Fan, A reproducible route to p-ZnO films and their application in light-emitting devices, Opt. Lett. 36 (4), 499 - 501 (2011).
4. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, B. Yao, D. Z .Shen, Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multiplication process, Appl. Phys. Lett. 99, 101110 (2011).
5. H. Zhu, C. X. Shan*, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, B. H. Li, D. X. Zhao, B. Yao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Z. K. Tang, X. H. Hou, K. L. Choy, Low-threshold electrically pumped random lasers, Adv. Mater. 22, 1877 (2010).
6. H. Zhu, C. X. Shan*, L. K. Wang, Y. Yang, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, X. W. Fan, A route to improved extraction efficiency of light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 96, 041110 (2010).
7. J. S. Liu, C. X. Shan*, B. H. Li, Z. Z. Zhang, C. L. Yang, D. Z .Shen, X. W. Fan, High responsivity ultraviolet photodetector realized via a carrier-trapping process, Appl. Phys. Lett. 97, 251102 (2010).
8. H. Zhu, C. X. Shan*, L. K. Wang, J. Zheng, J. Y. Zhang, B. Yao, D. Z. Shen, Metal-oxide-semiconductor structured MgZnO ultraviolet photodetector with high internal gain, J. Phys. Chem. C 114, 7169 – 7172 (2010).
9. H. Zhu, C. X. Shan*, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Y. M. Lu, Z. K. Tang, Ultralow-Threshold Laser Realized in Zinc Oxide, Adv. Mater. 21, 1613 (2009).
10. L. K. Wang, Z. G. Ju, J. Y. Zhang*, J. Zheng, D. Z. Shen, B. Yao, D. X. Zhao, Z. Z. Zhang, B. H. Li, C. X. Shan*, Single-crystalline cubic MgZnO films and their application in deep-ultraviolet optoelectronic devices, Appl. Phys. Lett. 95, 131113 (2009).
11. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Ultraviolet Electroluminescence from MgZnO-Based Heterojunction Light-Emitting Diodes, J. Phys. Chem. C 113, 2980 - 2982 (2009).
12. Z. G. Ju, C. X. Shan, C. L. Yang, J. Y. Zhang, B. Yao, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Phase stability of cubic Mg0.55Zn0.45O thin film studied by continuous thermal annealing method, Appl. Phys. Lett. 94, 101902 (2009).
13. D. Y. Jiang, C. X. Shan, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, B. Yao, D. X. Zhao, Z. Z. Zhang, X. W. Fan, D. Z. Shen, Schottky Barrier Photodetectors Based on Mg0.40Zn0.60O Thin Films, Crystal Growth Des. 9, 454 (2009).
14. H. Zhu, C. X. Shan*, B. H. Li, J. Y. Zhang, B. Yao, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, Ultraviolet Electroluminescence from MgZnO-Based Heterojunction Light-Emitting Diodes, J. Phys. Chem. C 113, 2980 (2009).
15. H. Zhu, C. X. Shan*, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, X. W. Fan, High Spectrum Selectivity Ultraviolet Photodetector Fabricated from an n-ZnO/p-GaN Heterojunction, J. Phys. Chem. C 112, 20546 – 20548 (2008).
16. C. X. Shan, Z. Liu, S. K. Hark, Temperature dependent photoluminescence study on phosphorus doped ZnO nanowires, Appl. Phys. Lett. 92, 073103 (2008).