《單個GeSi量子點和量子環的微區電學性質研究》是依託復旦大學，由楊新菊擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：單個GeSi量子點和量子環的微區電學性質研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：楊新菊
- 批准號：10874030
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：34（萬元）
項目摘要
傳統的物理特性研究方法，很難得到單個半導體量子點的物理特性，而單個 GeSi量子點和量子環的物理性質和行為對於矽基量子器件的研製是至關重要的。近年來迅速發展的多功能掃描探針顯微鏡 (SPM)技術提供了一個可行的研究手段。本項目將利用SPM的一系列電學性質測量方法，研究單個GeSi量子點和量子環的多種微區電學性質（如電導分布、電流電壓特性、靜電力、電容及表面勢分布等），以及形貌、尺寸、組分分布和應變等對微區電學性質的影響及其機制，建立並完善微區電學測量的物理機制和模型，並從中獲得單個量子點或量子環的微結構和電子態的定量數據。另外，還將研究覆蓋過程、耦合效應、外場作用等對量子點或量子環的微區物理特性的影響。研究工作將深化對單量子結構的物理認識，並為基於單個GeSi量子結構的器件設計提供科學依據。
