基本介紹
- 中文名:吳惠楨
- 國籍:中國
- 出生地:浙江省東陽市
- 出生日期:1959年
- 畢業院校:杭州大學
- 性別:男
研究方向:
半導體低維結構與器件物理
主要研究課題:
(1) IV-VI族半導體低維結構(包括量子阱、超晶格和量子點)的分子束外延、光學、電學和磁學特性及其光電子器件研究。 主持著國家自然科學基金重點項目 1 項,項目名稱: IV-VI 族半導體低維結構的光、電、磁學特性及其中紅外雷射器研究( 2005 年 1 月— 2008 年 12 月)。
(2) ZnO 基微結構材料的製備、物理特性及其在微納電子、光電子器件中的套用研究。主持著國家自然科學基金面上項目 1 項,項目名稱: ZnO 晶體薄膜及其量子點結構的光學性質研究。
主要學術成績:
近年來發表 SCI、EI論文80餘篇(其中權威性雜誌Appl. Phys. Lett., Phys. Rev. B等雜誌近10篇);國際會議報告五次;論文他引150餘次;申請國家發明專利6項;
《 LASER FOCUS WORLD》雜誌在2001年將IV-VI中紅外VCSEL的研究成果作了突破性進展的專門報導。 獲得二○○三年浙江省教育廳科技進步二等獎。