吳克輝(中國科學院物理研究所研究員)

個人簡介

主要研究方向：主要研究領域為表面物理和掃描隧道顯微學。利用掃描隧道顯微鏡/原子力顯微鏡/高分辨電子能量損失譜（STM/AFM/HREELS）等原位表面分析方法，研究表面吸附、生長動力學、單分子物理化學、以及納米尺度的量子現象。

（1）鹼金屬在Si表面吸附問題的研究。從實驗和理論上糾正了過去的“懸掛鍵吸附”的不完整模型，給出了一個完整的從二維原子氣到幻數團簇的全新物理模型。

（2）對GaN（0001）表面的再構及GaN/金屬界面的結構的研究，發展出一種高速沉積外延Ag膜的方法，實現了理想的界面結構。

（3）量子效應在低維金屬薄膜系統中的表現。發現量子效應導致的一種新的Al的同素異形體－自組織超晶格Al薄膜，實現了Si表面上完美的單原子層Al膜，揭示了系統中穩定性，金屬－半導體想變等現象和機理。

在SCI收錄的雜誌上發表第一作者論文十餘篇（包括PRL，PRB，APL等）。

目前的研究課題及展望：目前主持的研究項目有中科院百人計畫研究課題和自然科學基金面上項目（《並五苯與固體表面的作用》）一項。將來的主要發展方向為：

（1）低維系統中的各種新奇量子現象。

（2）單分子物理化學。