同軸納米電纜

簡介

同軸納米電纜是指直徑為納米級電纜，芯部通常為半導體或導體的納米絲，外面包敷異質納米殼體(導體、半導體或絕緣體)，外部的殼體和芯部的絲是共軸的。

發展簡史

由於這類材料所具有的獨特性能、豐富的科學內涵、廣泛的套用前景以及在未來納米結構器件中占有戰略地位，因此近年來引起了人們的極大研究興趣。1997年，法國科學家ColliexC等用石墨陰極與HfB陽極在N氣氛中電弧放電，其中大部分產物為直徑5—20nm的HfB顆粒，外層由5—10nm的石墨層組成。另一部分為外徑4—12irm的管狀結構，在這些管狀結構中，大部分管的結構為C—BN—C石墨結構；小部分管的內部為BN，外層為石墨，這些由於在徑向形成導體一絕緣體一導體的三明治結構，因此被稱為同軸納米電纜。與此同時，中科院固體物理所的MengGw等也用矽凝膠高溫碳熱還原方法合成出B—SiC／SiO同軸納米電纜。並且還用Ta2O與蜂蜜在1800℃下反應合成出TaC／C(石墨)的超導同軸電纜。隨後，ZhangY

等用雷射燒蝕法合成出B—SiC／SiO／C(石墨)／BN—C（石墨)多層結構的同軸納米電纜wuJill—Jen_1及其合作者熱解醋酸鋅而製得Zn／ZnO同軸納米電纜；香港大學Quna Li等人則利用碳熱部分還原法，以碳粉和硫化鋅為原料獲得了Zn／ZnS同軸納米電纜；另外，GolbergD等通過納米CN納米管與氧化硼、氮氣在高溫下反應製得BN／B—C—N同軸納米電纜。