《同步輻射技術研究表面熔化機理》是依託中國科學技術大學，由韋世強擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：同步輻射技術研究表面熔化機理
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：韋世強
- 依託單位：中國科學技術大學
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：A2012
- 研究期限：2002-01-01 至 2004-12-31
- 批准號：10174068
- 支持經費：24（萬元）
中文摘要
高亮度同步輻射XAFS(X-射線吸收精細結構)RHEED(反射高能電子衍射)SRPES(光電子能譜)等技術研究(100)、(110)、(111)不同晶面取向Ge晶體薄膜和Ge量子點/Si(111)在表面熔化前蠹骯討械腦雍偷繾詠峁溝牟鉅歟腫恿ρХ椒撲鉍e熔化前後的結構和性質，比較實楹屠礪鄣難芯拷峁⑾嗷ビ≈ぁ４釉臃腫鈾餃鮮鍍潯礱嬡芻氖抵屎臀⒐芻懟?.
