《同步輻射光源儲存環快速固態脈衝調製器技術研究》是依託中國科學技術大學，由王相綦擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：同步輻射光源儲存環快速固態脈衝調製器技術研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王相綦
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：10575100
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 申請代碼：A2801
- 支持經費：40（萬元）
- 負責人職稱：研究員
中文摘要
探索頂寬為10ns、底寬約50ns、重複頻數十千赫茲、脈衝幅值為數百安培的MOSFET固態脈衝調製器關鍵技術。固態調製技術具有效率高、功率高等優點。為下一代直線對撞機速調管，及感應同步加速器高頻加速腔及其他領域套用，國外相關實驗室競相研發固態調製器。據已發表文獻看，多數主攻方向為脈寬為數百ns以上IGBT管固態調製器；美國洛斯阿拉莫斯國家實驗室，為核武器精密試驗需要，開展數十納秒脈寬的MOSFET固態調製器研究。申請項目前期研究，已對MOSFET的陣列式疊加型固態調製器的研發取得進展。國內三台同步輻射光源，全環填充運行光脈衝間隔不超過5ns。採用直流與脈衝凸軌技術組合，可使得光源滿足各種快慢動態光譜的時間分辨光譜試驗測量時，同時滿足其他用戶需求。因此，為適應光源脈衝間隔線上調整需求，及相關快脈衝功率技術套用需求，繼續MOSFET和國產鐵氧體陣列式感應疊加型快速固態調製器關鍵技術研究。
