吉布斯-湯姆森公式

用於計算臨界晶核半徑的一個公式，其形式如右圖： 其中c為溶液相濃度，cs為溶液的飽和濃度，σ為表面張力，M為晶體分子的摩爾質量，d為晶體密度，R為摩爾氣體常數，T為絕對溫度，r（crit）為臨界晶核半徑。

在一定的溫度、濃度條件下，只有半徑大於臨界晶核半徑的晶核才有可能生長成為晶體。