《可用於MOS-RFIC成品率設計的MOSFET模型研究》是依託杭州電子科技大學，由劉軍擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：可用於MOS-RFIC成品率設計的MOSFET模型研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：劉軍
- 依託單位：杭州電子科技大學
- 批准號：60706002
- 申請代碼：F0402
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：22（萬元）
項目摘要
對於MOS RFIC CAD，建立精確的、可切實面向成品率分析/最佳化的模型已經成為極具挑戰性的工作。套用於90納米MOS工藝，甚至是該節點以上MOS器件非線性分析時，基於BSIM系列的標準模型日漸失效。本項目嘗試以中芯國際90納米RF-CMOS工藝為研究對象，對從器件物理建立RF寄生網路，研究解析提取技術，使提取所得射頻參數能真實反映器件射頻寄生產生和對器件性能的影響；通過對基於表面勢推導得到的、方程和參數有明確物理意義的如SP/PSP模型的研究,嘗試建立工藝容差/工藝參數變化和模型參數值分布空間的統計學關係，並創新性的引入ACO（ACO:Ant Colony Optimiztion）思想，建立可面向高成品率分析/最佳化的RF-MOSFET模型。研究基於ACO思想的RFIC高成品率最佳化算法，以期解決面向90納米MOS RFIC高成品率設計的模型、模型參數提取這一基礎問題。
