受主能級

當向純淨的半導體材料中摻雜受主雜質時，價電子的遷移會形成帶正電的空穴和負電中心，由於靜電引力作用，空穴會受到負電中心較弱的束縛形成束縛態，在其周圍運動，空穴得到能量後會脫離束縛形成導電的空穴，把被受主雜質所束縛的空穴的能量狀態稱為受主能級。

基本介紹

• 中文名：受主能級
• 外文名：Acceptor level
• 套用學科：半導體物理
• 符號：EA
• 對應詞條：施主能級

定義

向純淨的半導體材料中摻入受主雜質會形成空穴和負電中心的束縛態，如圖，當空穴（圖中小圓圈）得到能量△E_A後，就從受主的束縛態躍遷到價帶E_V成為導電空穴，所需能量相當於空穴被受主雜質束縛的一個能量狀態，我們稱之為受主能級，即為E_A。

受主能級的位置

因為△E_A<<E_g，所以受主能級位於離價帶頂很近的禁帶中。實際Ⅲ族受主雜質在矽、鍺晶體中的電離能很小。在矽中約為0.045~0.065eV[但銦（In）在矽中的電離能為0.16eV，是一個例外]，在鍺中約為0.01eV，比矽、鍺晶體的禁頻寬度小得多，具體見如下表格，單位為eV。

晶體	雜質
	B	Al	Ga	In
Si	0.045	0.057	0.065	0.16
Ge	0.01	0.01	0.011	0..011

其他

實際上，空穴脫離束縛是電子的運動，是價帶（E_v）中的電子得到能量後，躍遷到受主能級上，再與束縛在受主能級上的空穴複合，並在價帶中產生了一個可以自由移動的導電空穴，同時也就形成了一個不可移動的受主離子。