反常光伏特效應（Anomalous photovoltaic effect)是半導體中發生的一種光伏特效應。在此情況下，“反常”是指光伏特電壓比相應半導體的帶gab大。
這種效應是斯它期為奇（Starkiewicz)於1946年用Pbs薄膜發現的。後在其它半導體多晶膜，包括CdTe，矽，鍺ZnTe和InP非晶矽膜及納米矽晶系統。觀察到的光伏特電壓可達百，有些可達千伏特。觀察到這種效應的一般是半導體薄膜。在真空內蒸發到一熱絕緣底板上，入射蒸發的蒸氣方向和底板形成某種角度。但發現，光伏特電壓和製備條件及程式關係很靈敏。因而，很難得到重覆的結果。這也可能是為何直到現在，尚無已被接受的模型解析的原因。已有幾種模型提出解析這種額外大的光伏特電壓現象。簡列於下：
1.電伯效應（Dember effect)
2.過渡結構模型(The structure transition model)
3.P-n結模型;
4.表面光伏特電壓模型(Surface photovoltage model)
參考文獻 "Anomalous photovoltaic effect" Wikipedia
