原子級拋光中的拋光液設計及摩擦化學機理

《原子級拋光中的拋光液設計及摩擦化學機理》是依託上海大學,由雷紅擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:原子級拋光中的拋光液設計及摩擦化學機理
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:雷紅
  • 依託單位:上海大學
  • 負責人職稱:研究員
  • 批准號:50575131
  • 研究期限:2006-01-01 至 2008-12-31
  • 申請代碼:E0505
  • 支持經費:24(萬元)
中文摘要
針對下一代計算機硬碟基片、積體電路矽片表面原子級粗糙度和無損傷的加工要求,以及現有化學機械拋光(CMP)技術存在的問題,提出研製新型核/殼型納米複合粒子研磨劑,並研究其在CMP過程中的拋光特性和摩擦化學機理。通過綜合考慮拋光液特性、拋光墊特性、拋光工藝參數以及被拋光材料特性等的相互作用和關係,並以摩擦化學機理為基礎,建立分別適合硬碟基片、積體電路矽片表面原子級、無損傷拋光的拋光液設計的數學模型。為下一代計算機硬碟基片、積體電路矽片的製造提供技術與理論支持。

相關詞條

熱門詞條

聯絡我們