原子分辨透射電鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年05月13日啟用。
基本介紹
- 中文名:原子分辨透射電鏡
- 產地:日本
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2015年05月13日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器 > 透射電鏡
原子分辨透射電鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年05月13日啟用。
原子分辨透射電鏡是一種用於物理學領域的分析儀器,於2015年05月13日啟用。技術指標解析度:TEM0.19nm,STEM 0.08nm; 加速電壓 80kv,200kv; 放大倍速: TEM 50-200000 STE...
大型透射電鏡(conventional TEM)一般採用80-300kV電子束加速電壓,不同型號對應不同的電子束加速電壓,其解析度與電子束加速電壓相關,可達0.2-0.1nm,高端機型可實現原子級分辨。低壓透射電鏡 低壓小型透射電鏡(Low-Voltage electron ...
原子分辨透射電子顯微鏡系統是一種用於物理學、材料科學領域的分析儀器,於2017年12月21日啟用。技術指標 STEM HAADF解析度:63pm(300kv),105pm(200kv),105pm(160kv),136pm(80kv),192pm(60kv),314pm(40kv). TEM...
透射電鏡的解析度為0.1~0.2nm,放大倍數為幾萬~幾十萬倍。由於電子易散射或被物體吸收,故穿透力低,必須製備更薄的超薄切片(通常為50~100nm)。透射式電子顯微鏡鏡筒頂部是電子槍,電子由鎢絲熱陰極發射出、通過第一,第二兩個...
透視電鏡要達到埃量級的高解析度(晶格、原子級分辨),需要較高的電子束加速電壓,並且對環境有嚴格要求。低壓小型透射電鏡(LVEM)由於採用5kV低加速電壓,不可能達到原子級解析度,其解析度只能到1-2nm。電子束穿透能力有限 電子束的...
《利用球差校正透射電鏡表征磷烯的原子和電子結構》是依託浙江大學,由金傳洪擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 原子尺度的結構-性能關聯表征是二維原子晶體研究中的重要基礎之一。本項目立項針對磷烯這一新型二維半導體材料,擬採用球差...
1968年在美國芝加哥大學,Knoll 成功研製了場發射電子槍,並將它套用於SEM,可獲得較高分辨率的透射電子像。1970年他發表了用掃描透射電鏡拍攝的鈾和釷中的鈾原子和釷原子像,這使SEM又進展到一個新的領域。2021年,全數位化掃描電子...
而要獲得原子分辨水平(~4Å)的結構需要上百萬張圖像[5,6],若要人工處理這些數據將是一項耗時乏味的體力活,也因此成為冷凍電鏡獲得高分辨圖像的一個瓶頸,因此需要發展自動化採集單離子圖像的方法,該方法發展將成為冷凍電鏡...
球差矯正型透射電鏡是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2016年1月18日啟用。技術指標 300KV場發射超亮電子槍;STEM球差校正,點分辨率0.08nm;配備超大活動區能譜,實現原子級別元素分析;配備2K×2K以上解析度CCD。主要功能 電子透...
2006年Schattschneider等基於透射電鏡/電子能量損失譜技術提出了電子能量損失磁手性二向色譜(EMCD)測量磁結構方法,它具有元素分辨、高空間分辨等特點。2012年朱靜等提出了占位EMCD技術,利用電子衍射動力學面通道效應和EMCD結合,實現了對...
雙球差矯正透射電鏡是一種用於數學、物理學、材料科學領域的分析儀器,於2018年5月30日啟用。技術指標 Super-X EDS探頭:更大的探測面積120mm2 儀器分辨率(@300kV): TEM點解析度優於0.08nm 、TEM信息解析度優於0.07nm、STEM...
電鏡管理工作 1.管理維護環境掃描電鏡(2007年6月-2008年2月)。在這9個月中,培訓校內學生共54人,開放機時:環境掃描1143小時,能譜分析197小時,陰極螢光273小時。2.Tecnai F20高分辨透射電鏡的全部調研、文檔、安裝及調試工作。3...
針對國家大飛機工程對鋁合金耐疲勞損傷性能的需求背景及抗疲勞損傷鋁合金的發展動向,本項目採用三維原子探針、高分辨透射電鏡、透射電鏡、DSC等現代分析方法,研究溶質原子團簇尺寸對模量強化效應的影響、原子團簇與位錯互動作用、原子團簇尺寸...
利用L-MBE的方法製備了高電導性、高遷移率的(001)和(110) LAO/STO氧化物異質界面體系,通過X射線光電子能譜、球差校正高分辨的透射電鏡、原子分辨的電子能量損失譜和第一性原理計算對(110) LAO/STO異質結界面原子結構和band ...
透射電子顯微鏡方面主要有:高分辨電子顯微學及原子像的觀察,像差校正電子顯微鏡,原子尺度電子全息學,表面的高分辨電子顯微正面成像,超高壓電子顯微鏡,中等電壓電鏡,120kV,100kV分析電鏡,場發射槍掃描透射電鏡及能量選擇電鏡等,透射...
本項目提出以MoS2二維半導體和貴金屬納米顆粒為主要研究對象,綜合運用多種微結構表征和光、電等物理性質測量方法,特別是利用原子分辨原位透射電鏡表征方法,結合計算模擬,系統地研究了二維半導體與金屬納米顆粒的界面接觸、界面局域應變及界面...
利用高分辨透射電鏡和帶有Z-襯度的高角環形暗場掃描透射電鏡技術分析不同工藝得到的不同形態LPSO結構的形成條件、分布特點、原子尺度微結構,測定不同類型的LPSO結構的晶格常數、有序度、原子占位及濃度分布,建立LPSO空間點陣模型,揭示不...
在材料生長上採用MOCVD和MBE相結合的超精細結構外延生長方法生長出各同結構的調製量子阱;在特性分析上通過X射線衍射,高分辨透射電鏡、原子分辨率原子序數襯度成像研究量子阱的晶體結構、通過變溫的光致/電致螢光譜,時間分辨螢光譜,電流...
本項目選取兩淮地區構造煤為研究對象,通過高分辨透射電鏡,原子力顯微鏡,核磁共振,小角XRD散射,低溫液氮,低壓二氧化碳及等溫吸附解吸等實驗對構造煤大分子和納米級孔隙結構演化特徵進行系統的研究,試圖分析在脆性變形和韌性變形機制下,不...
用Raman 光譜、原子力顯微鏡、高分辨透射電鏡等方法對薄層的結構、形貌和缺陷特性進行了系統的測試表征。改變團簇離子能量、注入劑量、退火溫度等參數,獲得了最佳化的製備工藝條件。通過精確控制團簇離子劑量,製備了1-3 個原子層的graphene。...
5.4 透射電鏡的樣品製備169 5.4.1 基本要求170 5.4.2 薄膜樣品的製備過程170 本章小結172 思考題173 第6章 薄晶體的高分辨像174 6.1 高分辨電子顯微像的形成原理174 6.1.1 試樣透射函式175 6.1.2 ...