卡馬勒·托克達爾汗，女，哈薩克族，中共黨員，工學博士，新疆大學物理科學與技術學院副教授，碩士研究生導師。2014年3月博士畢業於東京工業大學，2014年4月至2015年7月在日本東芝集團鋰電池研究組從事了研究工作，2015年9月以來在新疆大學物理科學與技術學院從事教學科研工作，主要研究方向為半導體物理與器件，重點研究高k柵介質/金屬柵MOS器件中的關鍵問題。
近年來主持國家自然科學基金一項、新疆維吾爾自治區自然科學基金項目一項，參與國家自然科學基金3項。先後在Appl. Phys. Lett.，Mater. Res. Express等重要國際學術期刊上發表SCI收錄學術論文5餘篇。自工作以來，先後承擔大學物理實驗、基礎物理、材料物理、材料腐蝕與防護等課程的教學。
基本介紹
- 中文名：卡馬勒·托克達爾汗
- 國籍：中國
- 民族：哈薩克族
- 畢業院校：東京工業大學
- 學位/學歷：博士
人物經歷,科研項目,學術論文,
人物經歷
2014年3月博士畢業於東京工業大學，2014年4月至2015年7月在日本東芝集團鋰電池研究組從事了研究工作，2015年9月以來在新疆大學物理科學與技術學院從事教學科研工作，主要研究方向為半導體物理與器件，重點研究高k柵介質/金屬柵MOS器件中的關鍵問題。
科研項目
[1] 國家自然科學基金青年科學基金項目，5160021366，CMOS器件用金屬碳化物柵極材料的製備和性能研究，2017/01-2019/12，20萬元，主持人。
[2] 新疆維吾爾自治區自然科學基金，2016D01C070，用磁控濺射法製備金屬氧化物半導體器件（CMOS）所用的金屬柵材料，2017/01-2019/12，5萬元，主持人。
[3] 新疆大學自然科學基金項目，金屬碳化鎢材料的製備工藝及性能研究，2017/4-2019/3，5萬元，主持人。
學術論文
發表主要學術論文（註：加*號為通訊作者）
[1] Litipu Aihaiti, Kamale Tuokedaerhan*, Beysen Sadeh, Min Zhang, Shen Xiang Qian, Abuduwaili Mijiti, Electrical and microstructural properties of Ta-C thin films for metal gate, Mater. Res. Express, 7, 076402, 2020.
[2] Min Zhang, Meishan Li, Huimin Zhang, Kamale Tuokedaerhan, Aimin Chang, Synthesis of pilot-scale Co2Mn1.5Fe2.1Zn0.4O8fabricated by hydrothermal method for NTC thermistor, Journal of Alloys and Compounds,797, pp:1295-1298,2019.
[3] ZHANG Min, Kamale Tuokedaerhan, ZHANG Hong-yan, Li Lin, Ultraviolet photodetector based on Au doped TiO2 nanowires array with low dark current, Optoelectronics Letters, 15, pp:0081-0084,2019.
[4] 張文倩，張敏，王曼，卡馬勒·托克達爾汗，新型Ti2O3基濕敏感測器的研製，材料科學與工程學報，37（2），300-303, 2019.
[5] Min Zhang, Hongyan Zhang, Lin Li, Kamale Tuokedaerhan, Zhenhong Jia, Er-enhanced humidity sensing performance in black ZnO-based sensor, Journal of Alloys and Compounds,744, pp:364-369,2018.
[6] K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, and H. Iwai, Atomically flat La-silicate/Si interface using tungsten carbide gate electrode with nano-sized grain, Appl. Phys. Lett. Vol. 104, pp: 021601, 2014.
[7] K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, Stacked sputtering process for Ti, Ta, and W carbide formation for gate metal application, Appl. Phys. Lett., Vol. 103, pp: 111908, 2013.
[8] K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui , K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Interface properties of La-silicate MOS capacitors with tungsten carbide gate electrode for scaled EOT. ECS Trans., 50(4), pp: 281-284, 2013.
[9] S. Hosoda, K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai. Reliability of La-silicate MOS capacitors with tungsten carbide gate electrode for scaled EOT. ECS Trans., 58(7), pp:61-64, 2013.
[10] 卡馬勒·托克達爾汗，拜山·沙德克，磁性多層膜中保護層厚度對磁性層NiFe 的影響，新疆大學學報（自然科學），第3期，2010年.
[11] 卡馬勒·托克達爾汗，拜山·沙德克，磁性隨機存儲器的研究進展，大學物理，28：12，2009.
[12] 拜山·沙德克，吉吾爾·吉里力, 卡馬勒·托克達爾汗，NiFe/Ru薄膜的磁學性能的研究，功能材料，40：9，2009.
國際會議發表（第一作者）：
[1] K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai. Mobility improvement of La-silicate MOSFET by W2C gate electrode, IEEE EDS WIMNACT-39, Tokyo Institute of Technology, Japan, February 7, 2014.
[2] K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, Y. Nakamura, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, and H. Iwai, Influence of carbon incorporation in W gate electrodes for La-silicate gate dielectrics, IWDTF-13 (Dielectric Thin Film for Future Electron Devices: Science and Technology), University of Tsukuba, Japan, November 7-9, 2013.
[3] K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Work Function Extraction of W, Ta and Ti Carbides Formed by Multi Stacked Process. IEEE EDS WIMNACT-37, Tokyo Institute of Technology, Japan, February 18, 2013.
[4] K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui , K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Interface properties of La-silicate MOS capacitors with tungsten carbide gate electrode for scaled EOT. 222nd ECS Meeting, Hawaii, USA, October 10, 2012.
[5] K. Tuokedaerhan, T. Kaneda, M. Mamatrishat, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Impact of annealing ambient for La2O3/Si capacitor. G-COE PICE international symposium and IEEE EDS mini colloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists. Tokyo Institute of Technology, Japan, October 4-5, 2011.
