半導體鍺材料與器件

內容簡介

《半導體鍺材料與器件》是全面深入探討這一技術領域的首部著作，其內容涵蓋了半導體鍺技術研究的最新進展，闡述了鍺材料科學、器件物理和加工工藝的基本原理。作者系來自科學界及工業界從事該領域前沿研究的國際知名專家。

《半導體鍺材料與器件》還介紹了鍺在光電子學、探測器以及太陽能電池領域的工業套用。它對從事半導體器件與材料物理研究的科技人員、高等院校材料專業的師生以及工業和研究領域的工程師們而言，是一部必不可少的參考書，無論是專家還是初學者都將從《半導體鍺材料與器件》中受益。鍺是研發電晶體技術的基礎性半導體材料，近年來，由於其在微納電子學領域的潛在優勢，半導體鍺材料又重新受到人們的關注。

作者簡介

作者：（比利時）C.克萊（比利時）E.西蒙譯者：屠海令等

圖書目錄

0 導論

0.1 引言

0.2 歷史沿革和重大事件

0.3 鍺用作新型超大規模積體電路（ULSI）襯底：機遇與挑戰

0.4 本書梗概

參考文獻

1 鍺材料

1.1 引言

1.2 體鍺片的製備

1.2.1 鍺原材料：供應及生產流程

1.2.2 鍺晶體生長

1.2.3 鍺片製造

1.3 GOI襯底

1.3.1 背面研磨SOI

1.3.2 以薄層轉移技術製備GOI襯底

1.4 結論

參考文獻

2 鍺中長入缺陷

2.1 引言

2.2 鍺中本徵點缺陷

2.2.1 本徵點缺陷特性的模擬

2.2.2 有關空位特性的實驗數據

2.2.3 Voronkov模型對鍺的套用

2.3 非本徵點缺陷

2.3.1 摻雜劑

2.3.2 中性點缺陷

2.3.3 碳

2.3.4 氫

2.3.5 氧

2.3.6 氮

2.3.7 矽

2.4 直拉生長過程中位錯的形成

2.4.1 熱模擬

2.4.2 機械應力的發生

2.4.3 鍺的力學性質

2.4.4 拉晶過程中的位錯成核和增殖

2.4.5 鍺中位錯的電學影響

2.5 點缺陷團

2.5.1 空位團的實驗觀察

2.5.2 空位團形成的模型和模擬

2.6 結論

參考文獻

3 鍺中摻雜劑的擴散和溶解度

3.1 引言

3.2 半導體中的擴散

3.2.1 擴散機制

3.2.2 自擴散

3.3 鍺中的本徵點缺陷

3.3.1 淬火

3.3.2 輻照

3.4 在鍺和矽中的自擴散和Ⅳ族原子擴散

半導體鍺材料與器件

基本介紹

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