《半導體量子點的單光子發射與Rabi振盪的研究》是依託武漢大學，由王取泉擔任項目負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：半導體量子點的單光子發射與Rabi振盪的研究
- 項目類別：專項基金項目
- 項目負責人：王取泉
- 依託單位：武漢大學
- 批准號：10344002
- 申請代碼：A2205
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2004-12-31
- 支持經費：10（萬元）
項目摘要
研究單個InGaAs自組織量子點的單光子發射非經典統計特性；改善其光發射的空間分布特性並研究其單光子發射的時間回響特性和激子的複合壽命；重點研究共振pi脈衝對提高單光子的產生效率和信噪比的作用，從而得到性能較好的單光子發射源。觀測其Rabi振盪，並研究Rabi振盪衰減的機制；從而實現低衰減、超快回響速度的量子比特旋轉。此項目的研究在量子信息處理和量子計算領域具有十分重要的意義，有助於了解和認識半導
