《半導體量子線輸運性質的電磁場相干控制理論研究》是依託湖南師範大學，由周光輝擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體量子線輸運性質的電磁場相干控制理論研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：周光輝
- 依託單位：湖南師範大學
- 批准號：10574042
- 申請代碼：A2003
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
研究實驗中已實現了的長度近微米量級的半導體異質結量子線在太赫茲(THz)頻段電磁場輻照下, 電子受光子非彈性散射引起的各種量子躍遷、光子旁帶及光子協助遂穿等物理現象. 採用含時散射矩陣和非平衡格林函式方法分別考慮線幾何形狀、無序及電子相互作用對電子透射率隨入射能量變化的影響, 在此基礎上研究透射率或I-V特性隨外場參量(頻率、強度、極化方向與照射範圍等)的變化、輸運阻塞(全反射)與全透射的形成條件以及與系統參數(幾何參數、橫向限制勢、雜質大小與強度等)的關係. 建立和發展通過電磁場參量對量子線輸運性質實現量子相干操控的理論與方法. THz是電磁波中研究得很不夠的波段範圍,低維介觀量子結構對THz輻射的回響特性是光與物質相互作用領域中的一個新課題, 相關的研究能展現出一些新的基礎物理內容和概念, 同時也能為凝聚體系中超快過程的探測、太赫茲輻射的檢測、介觀量子電路的設計等技術研究提供物理基礎.
