半導體產業是現代電子工業的核心，而半導體產業的基礎是矽材料工業。雖然有各種各樣新型的半導體材料不斷出現，但 90%以上的半導體器件和電路，尤其是超大規模積體電路（ULSI）都是製作在高純優質的矽單晶拋光片和外延片上的。
矽片清洗對半導體工業的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為矽片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術的飛速發展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。
20世紀70年代在單通道電子倍增器基礎上發展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結構簡單、增益高、時間回響快和空間成像等特點，因而得到廣泛應。它主要套用於各種類型的像增強器、夜視儀、量子位置探測器、射線放大器、場離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強器的核心部件。MCP的製作工藝周期長且複雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關鍵因素之一。在MCP的工藝製造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機物和無機物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內污垢,產生髮射點、黑點、暗斑等,導致MCP的良品率下降,使得管子質量不穩定以至失效,因此在MCP的製造過程中利用超音波清洗技術去除污染物十分重要。
簡介,清洗方式,清洗溫度,產品特點,適用範圍,
簡介
半導體產業是現代電子工業的核心，而半導體產業的基礎是矽材料工業。雖然有各種各樣新型的半導體材料不斷出現，但 90%以上的半導體器件和電路，尤其是超大規模積體電路（ULSI）都是製作在高純優質的矽單晶拋光片和外延片上的。
矽片清洗對半導體工業的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為矽片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術的飛速發展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。
20世紀70年代在單通道電子倍增器基礎上發展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結構簡單、增益高、時間回響快和空間成像等特點，因而得到廣泛應。它主要套用於各種類型的像增強器、夜視儀、量子位置探測器、射線放大器、場離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強器的核心部件。MCP的製作工藝周期長且複雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關鍵因素之一。在MCP的工藝製造過程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機物和無機物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內污垢,產生髮射點、黑點、暗斑等,導致MCP的良品率下降,使得管子質量不穩定以至失效,因此在MCP的製造過程中利用超音波清洗技術去除污染物十分重要。
清洗方式
普通的清洗方法一般不能達到孔內,而孔內芯料的反應生成物及其他污染物會在後序工藝中會產生重複污染。無論是採用有機溶劑或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超音波清洗技術卻可以實現無重複污染,而且能深入MCP孔內的效果。對不同材料及孔徑的MCP應採用頻率、聲強可調的超音波進行實驗,以確定實際工藝參數。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和乙醇時,可採用空化閾約1/3 W/cm2,聲強10~20 W/cm2,頻率20~120 kHz的超音波進行清洗。表1是同一段不同板號的MCP採用不同頻率超音波清洗後表觀及電性能測試結果。由檢測結果可見,對1μm以下的小顆粒污染物,應選用頻率40 kHz以上的超音波進行清洗。
清洗溫度
在矽片的清洗過程中，清洗液的溫度是一個關鍵因素。合適的清洗溫度能夠加快油污的去除，得到最佳的清洗效果。當矽片浸到清洗液中，矽片上的油污產生膨脹，油污內部以及油污與矽片之間的作用力減弱，溫度越高，油污膨脹越大，這種作用力就越弱，表面活性劑分子越容易將油污撬離矽片表面。同時，溫度的變化可導致膠束本身性質和被增溶物在膠束中溶解情況發生變化。聚氧乙烯型表面活性劑的聚氧乙烯鏈（CH2CH2O）n在水中產生水合作用，與水分子中的氫形成氫鍵。溫度升高，氫鍵減弱，有的甚至斷裂，水合作用減小，膠束易於形成，膠束的聚集數亦顯著地增加，對油脂等污染物的增溶量增大，這種情況有利於矽片的清洗。當溫度升高到60℃左右時，聚氧乙烯鏈（CH2CH2O）n加速脫水並產生捲縮，使膠束起增溶的空間減小，增容能力下降，清洗液由透明變成乳濁液，這一溫度稱做溶液的濁點溫度。只有溫度接近表面活性劑溶液的濁點溫度時，增溶能力最強，因而清洗液的溫度定在60℃比較合理。
產品特點
1、一體式設計，緊湊，操作方便；
2、流動式操作，避免產品刮花；
3、配置過濾系統，有效節約水源；
4、不銹鋼網帶傳輸，清洗效果徹底，清洗效率超高；
5、配置油水分離及過濾系統，提供清洗劑的利用率；
6、操作簡單，具有手動和自動轉換功能；
7、PLC全程式控制，自動連續步進式清洗、乾燥；
適用範圍
主要用於半導體材料的清洗，生產加工過程工序間或終端的清洗。
