《半導體超晶格電化學原子層外延技術與機理研究》是依託東南大學，由李永祥擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：半導體超晶格電化學原子層外延技術與機理研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：李永祥
- 依託單位：東南大學
- 批准號：69406002
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1995-01-01 至 1997-12-31
- 支持經費：6（萬元）
中文摘要
建立了包括信號發生器、恆電位儀、數據採取和薄層電化學池的薄膜電化學沉積三電極系統，研究了在ITO導電薄膜襯底之上的CdTe和CdxHg1-xTe的共沉積過程和機理，如溶液濃度，溫度，PH值，攪拌以及沉積電勢，電流等，用俄歇電子能譜，掃描電子顯微鏡等分析了薄膜的化學成份，微觀結構和形貌。製備出了Cd/Te比可控，厚度為60至100A°的CdTe和CdxHg1-xTe半導體薄膜。深入系統地研究了欠電勢下原子層外延CdTe的製備工藝和規律，測定並確定了Cd和Te的欠電勢沉積電極電位，研究了欠電勢下單原子層Cd和Te的沉積條件。在單晶Si-Au（111）取向的襯底上獲得了多原子層交替外延的CdTe薄膜。用原子力顯微鏡分析了薄膜的微觀結構，觀察到沉積膜顆粒沿某一方向具有較明顯的擇優取向。
