《半導體薄膜內包層光纖放大機理與傳輸特性的研究》是依託上海大學，由王廷雲擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體薄膜內包層光纖放大機理與傳輸特性的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：王廷雲
- 依託單位：上海大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60477032
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 申請代碼：F0503
- 支持經費：25（萬元）
中文摘要
目前，光纖放大器使用的摻雜稀土光纖長度較長、頻寬有限，不利於集成化光子技術和全光通信的發展。直接帶隙的半導體材料用於光放大，具有高增益、寬頻寬的優勢，將其與光纖良好的波導結構相結合，可用於研製一種新型半導體薄膜內包層光纖，該光纖具有光放大功能。本項目主要研究半導體薄膜內包層光纖的放大機理與光傳輸特性。從矢量波動方程出發，建立非弱導條件下半導體薄膜內包層光纖的波導模型，並探索提高放大效率和偏振不敏感的波導結構，最佳化放大光纖的波導設計。在光注入情況下，分析光纖波導中半導體納米級內包層的量子尺寸效應，研究載流子的輸運過程和濃度分布隨信號光功率、泵浦光功率、半導體厚度、溫度等因素的變化，確定其對光放大的影響，從而指導新型集成化、寬光譜放大光纖的研製。
