《半導體納米粒子SERS基底活性的機理研究》是依託吉林大學，由趙冰擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體納米粒子SERS基底活性的機理研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：趙冰
- 依託單位：吉林大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：20873050
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：B0306
- 支持經費：35（萬元）
項目摘要
控制製備幾種特殊的半導體納米晶材料，將其構造為具有簡單結構的一維或二維陣列結構並作為表面增強拉曼活性基底。在此基底上吸附各種常見的SERS分子，通過表面增強拉曼光譜的研究，探討半導體納米材料種類、尺寸、形狀及納米粒子之間相互作用等對其增強能力的影響，研究粒子結構及外界媒介對其SERS的影響。探索半導體納米材料對紅外、螢光光譜的可能增強能力及與基底自身性質之間的關係。.由於半導體納米材料本身對可見區的表面等離子幾乎沒有貢獻，目前的理論認為化學增強的貢獻小於100倍。必須通過實驗研究選擇合適的材料以獲取SERS增強與材料特性的關係，探索適用於半導體納米材料的SERS增強機理。調控半導體納米材料的帶隙結構、表面缺陷態、表面電子態並研究這些因素與SERS增強機理的關係，促進對增強機理的深入研究並製備參數可控的SERS基底。
