《半導體矽片的金屬微觀污染機理的研究》是依託廈門大學，由程璇擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：半導體矽片的金屬微觀污染機理的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：程璇
- 依託單位：廈門大學
- 支持經費：20（萬元）
- 研究期限：2001-01-01 至 2003-12-31
- 負責人職稱：教授
- 申請代碼：B0205
- 批准號：20073036
項目摘要
亞微米技術要求矽表面原子水平上潔淨平整.矽表面金屬污染是造成器件性能失效的主要原?本課題基於單金屬銅沉積的電化學屬性,研究多金屬共存下矽/溶液界面的銅沉積反應動力學,化學組成及表面性質,闡明矽表面金屬微觀污染的機理,探明消除銅沉積的原理,為發展能套用在濕法清洗工藝中快速檢測和控制溶液中微觀銅在矽表面污染提供科學依據.
