半導體異質結能帶排列理論研究

《半導體異質結能帶排列理論研究》是依託廈門大學，由王仁智擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：半導體異質結能帶排列理論研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：王仁智
• 依託單位：廈門大學
• 批准號：19374041
• 申請代碼：A2004
• 負責人職稱：教授
• 研究期限：1994-01-01 至 1996-12-31
• 支持經費：4.5（萬元）

項目摘要

項目中，著重研究了各種不同異質結中平均鍵能的對齊程度，結果表明平均鍵能對齊對各種異質結具有普適性，充實了平均鍵能方法的理論基礎；採用平均鍵能方法研究了一系列應變層異質結的價帶偏移和能帶排列，檢驗了平均鍵能方法的適用範圍，提供了較準確的理論計算結果；將平均鍵能方法與原子集團方法結合起來，提出一種計算合金型異質結的價帶偏移的新方法，採用該方法研究了一系列合金型和合金應變層異質結的價帶偏移隨合金組分及應變情況的變化規律，為量子阱和超晶格有關材料和器件設計提供參考。研究結果在國內外重要學述刊物發表論文25篇，其中國際刊物7篇，國內刊物18篇，有12篇論文被SCI和EI收入。達到預期的研究目標。