《半導體異質結能帶排列理論研究》是依託廈門大學,由王仁智擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:半導體異質結能帶排列理論研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:王仁智
- 依託單位:廈門大學
- 批准號:19374041
- 申請代碼:A2004
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:1994-01-01 至 1996-12-31
- 支持經費:4.5(萬元)
《半導體異質結能帶排列理論研究》是依託廈門大學,由王仁智擔任項目負責人的面上項目。
《半導體異質結能帶排列理論研究》是依託廈門大學,由王仁智擔任項目負責人的面上項目。項目摘要項目中,著重研究了各種不同異質結中平均鍵能的對齊程度,結果表明平均鍵能對齊對各種異質結具有普適性,充實了平均鍵能方法的理論基礎;采...
半導體的異質結是一種特殊的PN結,由兩層以上不同的半導體材料薄膜依次沉積在同一基座上形成,這些材料具有不同的能帶隙,它們可以是砷化鎵之類的化合物,也可以是矽-鍺之類的半導體合金。半導體異質結構的二極體特性非常接近理想二極體。另外...
《Ⅱ型半導體納米異質結的超快光物理研究》是依託南京大學,由張春峰擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 Ⅱ型半導體異質結結構是光電轉換器件的基本單元,當異質結尺寸進入納米尺度時,量子限制效應重新塑造異質結的物理特性,在極快時間...
能帶理論 能帶理論是研究固體中電子運動規律的一種近似理論。固體由原子組成,原子又包括原子實和最外層電子,它們均處於不斷的運動狀態。為使問題簡化,首先假定固體中的原子實固定不動,並按一定規律作周期性排列,然後進一步認為每個電子...
《二維金屬-半導體異質結可控制備及其光電性質的研究》是依託深圳大學,由時玉萌擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 以二硫化鉬、二硒化鎢為代表的二維單層半導體材料具有諸多優異的光電特性,尤其是以二維半導體材料構建的異質結在太陽...
本項目全面完成了預期研究目標,研究成果包括:1.提出了CMT高壓InAlN/GaN HEMT新結構。根據半導體能帶理論,從器件物理出發揭示了GaN異質結器件利用源極肖特基接觸技術來提高InAlN/GaN器件耐壓的工作機理。2.建立了CMT高壓InAlN/GaN HEMT器件...
研究內容包括:Si表面結構的原子級精確調控;TI體系的外延製備;TI/Si異質結能帶表征與調控;TI/Si異質結器件的光電套用。項目將綜合套用分子束外延技術、超高真空掃描探針顯微鏡等方法系統探索狄拉克異質體系的量子態及調控,研究結果能揭示...
研究半導體中的原子狀態是以晶體結構學和點陣動力學為基礎,主要研究半導體的晶體結構、晶體生長,以及晶體中的雜質和各種類型的缺陷。研究半導體中的電子狀態是以固體電子論和能帶理論為基礎,主要研究半導體的電子狀態,半導體的光電和熱電...
《固體C60/GaAs和InP等化合物半導體異質結形成機理》是陳開茅為項目負責人,北京大學為依託單位的面上項目。項目摘要 (1)首次發現C60和C70固體與GaN接觸均是強整流結,其整流比大於10(6)和10(5),理想因子接近於1,典型勢壘高度...
本項目擬利用磁控濺射法、水熱法方法在p型金剛石表面沉積ZnO及TiO2薄膜,製備氧化物/金剛石異質結,並測量、分析異質結的特性。利用異質結I-V、C-V特性和XPS光譜等手段分析異質結界面電荷分布和能帶結構。研究異質結特性與製備方法的...
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探索III-V和II-VI族半導體非磁和含磁異質結及界面的磁性和磁光特性,著重深入研究光引入載流子控制半導體從順磁轉變為鐵磁相的實驗條件,特別探索室溫下實現鐵磁相的必要和充分條件,對鐵磁相的形成給出正確理論解釋;通過界面磁離子的...
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該項研究將有助於豐富和發展有機半導體理論內容,為設計製備具有核心智慧財產權的紫外探測新材料體系提供理論和實驗基礎。結題摘要 日盲區紫外光探測材料作為紫外光探測物質基礎的主體,在國民經濟的諸多領域有著重要的套用前景,也是材料科學和...