《固體C60/GaAs和InP等化合物半導體異質結形成機理》是陳開茅為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目。
基本介紹
- 中文名：固體C60/GaAs和InP等化合物半導體異質結形成機理
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人 ：陳開茅
- 依託單位 ：北京大學
- 批准號：19774003
- 申請代碼：A2004
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1998-01-01至2000-12-31
- 支持經費：11 (萬元)
項目摘要
（1）首次發現C60和C70固體與GaN接觸均是強整流結，其整流比大於10（6）和10（5），理想因子接近於1，典型勢壘高度分別為0.535和0.431eV。（2）首次發現固體C60/n-InP和p-InP都易於形成很好異質結，其整流比分別大於10（5）和10（4），典型勢壘高度分別為0.644和0.719eV。這一結果大大彌補了InP不易和金屬形成良好整流接觸的缺陷。此外發現在C60/InP界面上有一能級為Ec-0.56eV的電子態。（3）首次發現C70固體/n-和P-GaA5為優質異質結，整流比均大於10（6），理想因子近於1，典型勢壘高度分別為0.784和0.531eV，並發現在C70/GaAs界面上有能級分別為Ec-0.640和Ev+0.822eV的電子和空穴陷阱。（4）首次提出了一個測量高濃度甚深深能級方法，發現C70固體的兩種空穴陷阱。成功解釋C60（C70）鈍化半導體及與之成結機理。
