《半導體化合物光電原理》是2013年12月化學工業出版社出版的書籍,作者:許並社 主編 劉旭光、梁建、賈虎生 副主編。
基本介紹
- 中文名:半導體化合物光電原理
- 作者:許並社
- 出版社:化學工業出版社
- 出版時間:2013年12月
- 頁數:185 頁
- 定價:39 元
- 開本:16 開
- 裝幀:平裝
- ISBN:978-7-122-19093-2
《半導體化合物光電原理》是2013年12月化學工業出版社出版的書籍,作者:許並社 主編 劉旭光、梁建、賈虎生 副主編。
《半導體化合物光電原理》是2013年12月化學工業出版社出版的書籍,作者:許並社 主編 劉旭光、梁建、賈虎生 副主編。內容簡介本系列叢書分為《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件製備》、《半導體化合物光電器件檢...
《半導體化合物光電原理》:主要介紹半導體化合物的結構學和物理學基礎、電學和光學性質、套用以及器件的結構和工作原理。《半導體化合物光電器件製備》:主要介紹LED外延片生長、晶片製作和封裝、器件組裝以及太陽能電池的工作原理、結構、分類...
《半導體化合物光電器件檢測》是2013年12月化學工業出版社出版的圖書,作者是許並社、賈虎生、劉旭光、梁建。內容簡介 本系列叢書共分《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件製備》、《半導體化合物光電器件檢測》三部。從ⅢA~...
《半導體化合物光電器件製備》是2013年12月化學工業出版社出版的圖書,作者是許並社、梁建、劉旭光、賈虎生。內容簡介 本系列叢書分為《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件製備》、《半導體化合物光電器件檢測》三部分。本書從...
光電轉換電池材料按原理和電池結構分為半導體太陽電池材料、光電化學電池材料和有機光電轉換電池材料。常用的是半導體太陽電池材料,主要有矽太陽電池材料,包括單晶矽、多晶矽和非晶矽;化合物半導體太陽電池材料,如Ⅲ–Ⅴ族、Ⅱ–Ⅵ族化合物...
性能最好的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物太陽能電池。硒銦銅是已知的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元化合物半導體中性能最好的光電材料,禁頻寬度為1.01~1.04 eV,有直接能帶結構,在異質結電池中可作為理想的基體材料。硒銦銅與硫化鎘、碲化鎘材料一樣,...
此外,化合物半導體材料、非晶矽薄膜作為光電轉換材料,也得到研究和套用。半導體光電器件是把光和電這兩種物理量聯繫起來,使光和電互相轉化的新型半導體器件。光電器件主要有:利用半導體光敏特性工作的光電導器件、利用半導體光伏打效應工作...
這一半導體主要運用到高速器件中,InP製造的電晶體的速度比其他材料都高,主要運用到光電積體電路、抗核輻射器件中。 對於導電率高的材料,主要用於LED等方面。(3)有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物,把有機...
採用元素半導體矽(Si)以後,不僅使電晶體的類型和品種增加、性能提高,而且迎來了大規模和超大規模積體電路的時代。以砷化鎵(GaAs)為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的發現促進了微波器件和光電器件的迅速發展。主要種類 半導體材料可按化學組成來分...
8.2.1 紅光半導體材料 222 8.2.2 紅光半導體雷射器 224 8.2.3 紅光發光二極體 226 8.3 藍/綠光半導體光發射材料和器件 228 8.3.1 概述 228 8.3.2 Ⅲ-N化合物半導體光發射材料 229 8.3.3 藍/綠光...
在外延生長時,晶格失配引起的位錯密度很高,因此用此種方法製備三元化合物半導體時,需要另想辦法降低位錯密度。在薄膜的製備中,除了以上三種外延生長的方法外,磁控濺射法、電沉積法也有相關文獻提及,然而這兩種方法製備的材料,在光電...
化合物半導體材料是由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,並具有確定的禁頻寬度和能帶結構等半導體性質的稱為化合物半導體材料。簡介 由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,並具有確定的禁頻寬度和能帶結構等...
發光是物體內部以某種方式儲存的能量轉化為光輻射的過程。發光物體的光輻射是材料中受激發的電子躍遷到基態時產生的。半導體(主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素構成的化合物半導體)發光二極體屬於電流激發的電致發光器件。電致發光現象發現...
Hg1-xMnxTe是磁性半導體材料,在磁場中的光伏特性與碲鎘汞幾乎相同,但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。②高溫超導材料,現處於研究開發階段,已有開發成功的產品。③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料,可用於8~14μm遠紅外探測器,如:InAs/...
原理介紹 光催化的原理是利用光來激發二氧化鈦等化合物半導體,利用它們產生的電子和空穴來參加氧化—還原反應。 當能量大於或等於能隙的光照射到半導體納米粒子上時,其價帶中的電子將被激發躍遷到導帶,在價帶上留下相對穩定的空穴,從而...
光電二極體性能 各種光電二極體的波長覆蓋範圍從紫外區、可見光區直到近紅外光區。製作光電二極體的材料有元素半導體Si、Ge及Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體GaAs、InAs、InSb、InS、InGaAs、InGaAsP、PbSnTe、PbSnSe、HgCdTe等。對光電探測...
2、以無機鹽如砷化鎵III-V化合物、碲化鎘、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池;3、功能高分子材料製備的太陽能電池;4、納米晶矽太陽能電池等。對太陽能電池材料一般的要求 1、半導體材料的禁帶不能太寬;2、要有較高的光電...
所含化合物 鎵(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等 分類 OLED(有機發光二極體)、LED(無機發光二極體)、AMOLED(有源矩陣有機發光二極體面板)、Mini LED(次毫米發光二極體)、Micro LED 目錄 1 簡介 2 工作原理 3 LED燈特點 ...
led為通電時可發光的電子組件,是半導體材料製成的發光組件,材料使用iii- v族化學元素(如:磷化鎵(gap)、砷化鎵(gaas)等),發光原理是將電能轉換為光,也就是對化合物半導體施加電流,透過電子與電洞的結合,過剩的能量會以光的形式...