《半導體分立器件 3CG120型矽PNP高頻小功率電晶體詳細規範》是2016年9月1日實施的一項行業標準。
基本介紹
- 中文名:半導體分立器件 3CG120型矽PNP高頻小功率電晶體詳細規範
- 實施日期:2016-09-01
- 技術歸口:全國半導體設備和材料標準化技術委員會
- 發布日期:2016-04-05
- 批准發布部門:工業和信息化部
- 標準號:SJ/T 1477-2016
《半導體分立器件 3CG120型矽PNP高頻小功率電晶體詳細規範》是2016年9月1日實施的一項行業標準。
半導體分立器件 3CG120型矽PNP高頻小功率電晶體詳細規範 《半導體分立器件 3CG120型矽PNP高頻小功率電晶體詳細規範》是2016年9月1日實施的一項行業標準。起草單位 濟南市半導體元件實驗所。起草人 侯秀萍、卞岩。
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第一部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極體、3-三極體 第二部分:用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極體時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三極體時:A-PNP型鍺材料、B-...
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