《半導體光譜和光學性質（第2版）》是2002年科學出版社出版的圖書。
基本介紹
- 書名：半導體光譜和光學性質（第2版）
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2002年7月1日
- ISBN：9787030026965
出版信息,內容簡介,目錄,
出版信息
出版社：科學出版社
ISBN：9787030026965
版次：2
商品編碼：12080792
品牌：科學出版社（SCIENCE PRESS）
包裝：精裝
開本：16開
出版時間：2002-07-01
用紙：膠版紙
頁酷多乎數：770
字數：864000
正文語種：中文
內容簡介
《半導體光譜和光學性質（第2版）》系統論述了半導體及其超品格、量子阱、量子線以及量子點結構等的光譜和光學性質。從巨觀光學常數和量子理論出發，分別論述了它們的反射和吸收光譜、發光光譜與輻射複合、光電導和光電子效應、磁光效應、拉曼散射以及量子阱、量子線、量子點甩槳燥的光譜和光學性質。
《半導體光譜和光學性質（第2版）》總結了近30年來國內外這一領域的主要研究成果，並將這些研究成果和基本理論融會貫通起來，從光譜和光學性質研究半導體及其微結構中的微觀狀態和過程。《半導體光譜和光學性質（第2版）》重視物理圖像，並力求用通俗語言簡述基本理論和基本研究方法，
《半導體光譜和光學性質（第2版）》可作為光電子物理、凝聚態光譜、半導體光電子物理和技術、信息科學等領域的研究生教材及相關研究領域的科技人員的參考讀物，
目錄
第一章 半導體的光學常數
1．1 半導體的光學常數及其相互關係
1．2 一定厚度片狀樣品透射比和反射比的表達式t
1．2．1 光電磁波從真空或空氣入射到固體表面的反射和透射
1．2．2 一定厚度片狀樣品透射比和反射比的表達式
1．3 色散關係，克拉默斯一克勒尼希（K-K）變換
1．3．1 K-K色散關係的引入
1．3．2 介電函式實部與虛部間的關係
1．3．3 折射率與消光係數的關係
1．3．4 振幅反射係數的模與相位之間的色散關係
1．3．5 求和規則
1．4 半導體光學常數的實驗測量
參考文獻
第二章 半導體帶間光躍遷的基本理論
2．1 半導體的享立戶帶間躍遷過程
2．1．1 導帶底和價帶頂位於波矢空間同一位置時的允許帶間直接躍遷
2．1．2 禁戒的帶間直接躍遷
2．1．3 導帶底和價帶頂位於波矢空間同一位置時的允許帶間直接躍遷
2．1．4 間接能帶間的躍遷——帶間間接躍遷
2．1．5 直接能帶情況下的帶間間接躍遷
2．1．6 能帶帶尾之間的躍遷
2．2 帶間躍遷的量子力學民鑽芝霉理論
2．2．1 躍遷機率
2．2．2 吸收和發射的關係（馮-魯斯勃呂克一肖克萊關係）
2．3 半導體帶間直接躍遷光吸收過程
2．3．1 吸收係數
2．3．2 聯合態密度
2．3．3 電子態的分類和群論選擇定則
2．4 間接躍遷的量子力學處理
2．5 半導體帶間直接躍遷輻射複合發光過程
2．5．1 帶間直接躍遷情況下的自發光發射輻射複合速率Rsp（hw）
2．5．2 受激發光企趨危發射擔紙速率和總光發射速率
2．5．3 樣品內的輻射複合速率和樣品外觀測到的發光光譜的關係
參考文獻
第三章 半導體的吸收光譜和反射光譜一帶間躍遷過粳
3．1 外界條件對半導體光吸收邊的影響
3．1．1 壓力效應
3．1．2 溫度效應
3．1．3 強電場對半導體光吸收邊的影響，費朗茲-凱爾迪什效應
3．1．4 合金化效應
3．2 摻雜對半導體光吸收邊的影響，伯斯坦一莫斯效應
3．3 吸收邊以上基本吸收區域電子躍遷過程的光譜研究
3．3．1 Eo躍遷
3．3．2 E1躍迂
3．3．3 E2躍迂
3．3．4 閃鋅礦結構半導體
3．4 半導體的調製光譜
3．4．1 半導體的調製光譜
3．4．2 內層電子與導帶間的躍遷
3．5 激子吸收
3．5．1 激子吸收
3．5．2 和鞍點相聯繫的激子
3．5．3 激子極化激元
參考文獻
第四章 半導體的吸收歸墊敬駝光譜和反射光譜-一帶內躍遷過程及與雜質、缺陷、晶格振動有關的躍迂過程
4．1 帶內躍遷和自由載流子吸收
4．1．1 帶內駐結構間的光躍遷
4．1．2 自由載漉子吸收
4．1．3 等離子激元效應
4．2 自由載流予吸收的量子理論
4．2．1 散射矩陣元
4．2．2 散射機率
4．2．3 吸收係數
4．2．4 關予吸牧係數的討論
4．3 雜質吸收光譜
4．3．1 淺雜質的有效質量方程和淺雜質吸收光譜
4．3．2 淺雜質光熱電離譜
4．3．3 雙電子雜質態（A+態和D-態）
……
第五章 半導體的發光光譜和輻射複合
第六章 半導體的光電導和其他相關效應
第七章 半導體的磁光效應
第八章 半導體的拉曼散射
第九章 半導體量子阱和超晶格的光學性質
第十章 半導體量子線和量子點的光譜
漢英對照主題索引
2．5 半導體帶間直接躍遷輻射複合發光過程
2．5．1 帶間直接躍遷情況下的自發光發射輻射複合速率Rsp（hw）
2．5．2 受激發光發射速率和總光發射速率
2．5．3 樣品內的輻射複合速率和樣品外觀測到的發光光譜的關係
參考文獻
第三章 半導體的吸收光譜和反射光譜一帶間躍遷過粳
3．1 外界條件對半導體光吸收邊的影響
3．1．1 壓力效應
3．1．2 溫度效應
3．1．3 強電場對半導體光吸收邊的影響，費朗茲-凱爾迪什效應
3．1．4 合金化效應
3．2 摻雜對半導體光吸收邊的影響，伯斯坦一莫斯效應
3．3 吸收邊以上基本吸收區域電子躍遷過程的光譜研究
3．3．1 Eo躍遷
3．3．2 E1躍迂
3．3．3 E2躍迂
3．3．4 閃鋅礦結構半導體
3．4 半導體的調製光譜
3．4．1 半導體的調製光譜
3．4．2 內層電子與導帶間的躍遷
3．5 激子吸收
3．5．1 激子吸收
3．5．2 和鞍點相聯繫的激子
3．5．3 激子極化激元
參考文獻
第四章 半導體的吸收光譜和反射光譜-一帶內躍遷過程及與雜質、缺陷、晶格振動有關的躍迂過程
4．1 帶內躍遷和自由載流子吸收
4．1．1 帶內駐結構間的光躍遷
4．1．2 自由載漉子吸收
4．1．3 等離子激元效應
4．2 自由載流予吸收的量子理論
4．2．1 散射矩陣元
4．2．2 散射機率
4．2．3 吸收係數
4．2．4 關予吸牧係數的討論
4．3 雜質吸收光譜
4．3．1 淺雜質的有效質量方程和淺雜質吸收光譜
4．3．2 淺雜質光熱電離譜
4．3．3 雙電子雜質態（A+態和D-態）
……
第五章 半導體的發光光譜和輻射複合
第六章 半導體的光電導和其他相關效應
第七章 半導體的磁光效應
第八章 半導體的拉曼散射
第九章 半導體量子阱和超晶格的光學性質
第十章 半導體量子線和量子點的光譜
漢英對照主題索引
