化學蒸氣沉積法

化學蒸氣沉積法chemical vapour deposit process：英文縮寫為CVD。是一種在基體材料上鍍覆一層蒸汽沉澱物薄膜的方法，主要用於製造鑽石薄膜。

基本介紹

• 中文名：化學蒸氣沉積法
• 外文名：chemical vapour deposit process

方法是在低壓約 ④製造星光；⑤製造暈彩。熱處理技術是[7～20kPa（50～150mmHg）]、中溫（700～1000℃）條件下，在氫氣環境中通入甲烷含量0.1%～1%（體積分數），然後輸入能量使氣體電離，產生富碳的等離子氣體帶電粒子，並沉積在基體材料上，形成一層鑽石薄膜。這種合成鑽石膜為多晶結構。單晶大小約1μm，碳原子同時以金剛石結構和石墨結構排列出現。當膜層厚度小於5 μm時，用熱導儀檢查，其熱導率仍反映基體的材料性質；若膜層厚大於5 μm，則反映膜層的性質。此外，膜層有時可產生水面油膜一般的暈彩。若將其浸入亞甲碘化物中，常可觀察到膜層的輪廓。據報導，本世紀以來此法又有了很大的進步，人們已不僅能用此法合成鑽石薄膜，還能用於合成厚2mm的高品質鑽石板狀晶體。